[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201210342460.3 | 申请日: | 2012-09-14 |
公开(公告)号: | CN103247619A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 金广海;崔宰凡;郑宽旭;金武镇;吴在焕;李俊雨 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一绝缘层,位于基底上;
栅极布线,位于第一绝缘层上,栅极布线沿第一方向延伸;
第二绝缘层,位于栅极布线上;
数据布线,位于第二绝缘层上,数据布线沿与第一方向交叉的第二方向延伸;
像素,分别位于栅极布线和数据布线的交叉区域处,像素连接到相应的栅极布线和数据布线;
数据引导二极管,具有岛状形式并且连接到数据布线,数据引导二极管被构造为当外部静电穿过数据布线时引发第一绝缘层的击穿。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中,每个数据引导二极管包括:
具有岛状形式的第一引导图案,与栅极布线位于同一层上,第一引导图案连接到相应的数据布线;
具有岛状形式并且面向第一引导图案的第二引导图案,第一绝缘层位于第一引导图案与第二引导图案之间。
3.如权利要求2所述的显示装置,其中,第一引导图案包括:
叠置区域,与相应的数据布线叠置;
非叠置区域,与相应的数据布线不叠置,第二引导图案与第一引导图案的非叠置区域叠置。
4.如权利要求2所述的显示装置,其中,每个像素包括连接到相应的栅极布线和数据布线的薄膜晶体管以及连接到薄膜晶体管的有机发光二极管。
5.如权利要求4所述的显示装置,其中,薄膜晶体管包括:
有源层,与第二引导图案位于同一层上;
栅电极,与栅极布线位于同一层上;
源电极和漏电极,与数据布线位于同一层上。
6.如权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括具有岛状形式并且连接到相应的栅极布线的栅极引导二极管,栅极引导二极管被构造为当外部静电穿过栅极布线时引发第一绝缘层的击穿。
7.如权利要求6所述的显示装置,其中,每个栅极引导二极管包括:
第三引导图案,位于栅极布线上并且连接到栅极布线;
第四引导图案,与第三引导图案叠置,第一绝缘层位于第三引导图案和第四引导图案之间。
8.如权利要求7所述的显示装置,其中,第三引导图案包括从栅极布线延伸的延伸区域,第四引导图案与第三引导图案的延伸区域重叠。
9.如权利要求1所述的显示装置,其中,第一绝缘层比第二绝缘层薄。
10.如权利要求1所述的显示装置,其中,第二绝缘层位于栅极布线与数据布线之间,第一绝缘层的一部分在数据引导二极管的内部。
11.如权利要求1所述的显示装置,其中,第二绝缘层位于数据引导二极管与数据布线之间,每个数据引导二极管通过第二绝缘层连接到相应的数据布线。
12.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一绝缘层,位于基底上;
栅极布线,位于第一绝缘层上,栅极布线沿第一方向延伸;
第二绝缘层,位于栅极布线上;
数据布线,位于第二绝缘层上,数据布线沿与第一方向交叉的第二方向延伸;
像素,分别位于栅极布线和数据布线的交叉区域处,像素连接到相应的栅极布线和数据布线;
栅极引导二极管,具有岛状形式并且连接到栅极布线,栅极引导二极管构造为当外部静电穿过栅极布线时引发第一绝缘层的击穿。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的