[发明专利]一种改善SONOS结构器件性能的方法无效
| 申请号： | 201210333709.4 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102832175A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 田志;顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善SONOS结构器件性能的方法，该SONOS结构包括衬底，隧穿介质层，电荷存储层，阻挡介质层和导电层，衬底内包括源极和漏极，隧穿介质层、电荷存储层、阻挡介质层和导电层按顺序自下而上设置在衬底上，其中，采用凸面SONOS结构设计，并使用缓变的氮化硅层组成电荷存储层；本发明的有益效果是：形成凸面SONOS结构，促使电场强度在不同层的分布不同，可以提高编译和擦除的速度，同时抑制擦除饱和对擦除速度的影响；缓变氮化硅层与隧穿氧化硅层之间较接近的杨氏模量减少隧穿氧化硅层与氮化硅之间由于杨氏模量的差别较大引起的应力对器件的影响；缓变氮化硅层可以实现捕获电子的再分配，使存储的电荷在存储电荷层中更加均匀的分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 sonos 结构 器件 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种改善SONOS结构器件性能的方法，所述SONOS结构包括衬底，隧穿介质层，电荷存储层，阻挡介质层和导电层，所述衬底内包括一源极和一漏极，所述隧穿介质层、电荷存储层、阻挡介质层和导电层按顺序自下而上设置在所述衬底上，其特征在于，采用缓变的氮化硅层组成所述电荷存储层，所述缓变的氮化硅层自下而上由富氮氮化硅的深能级向富硅氮化硅的浅能级渐变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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