[发明专利]一种简单制备有序V形纳米硅孔阵列的方法有效
| 申请号： | 201210332265.2 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102856165A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 戴隆贵;丁芃;陈弘;贾海强;王文新 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/033;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 王艺 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种简单制备有序V形纳米硅孔阵列的方法，包括：在硅衬底上沉积二氧化硅掩膜层，在其上制备周期性纳米光刻胶点阵图形，采用干法刻蚀技术将该光刻胶点阵图形转移至二氧化硅掩膜层，同时在刻蚀过后的硅层上留下可充当刻蚀掩膜作用的氟碳基有机聚合物层，将衬底放入腐蚀液进行腐蚀，利用氢氟酸溶液去除衬底上残留的二氧化硅，采用干法刻蚀技术去除氟碳基有机聚合物层，得到清洁的有序V形纳米硅孔阵列衬底。本发明采用纳米光刻与干湿法刻蚀相结合的技术简单有效的获得了有序V形纳米硅孔阵列衬底，适用于无缺陷的硅基量子点的定位、可控外延生长，可广泛应用于光子晶体，量子信息以及磁性介质存储等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 简单 制备 有序 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种简单制备有序V形纳米硅孔阵列的方法，包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上沉积二氧化硅掩膜层；步骤2，在所述二氧化硅掩膜层之上旋涂光刻胶，制备周期性纳米光刻胶点阵图形；步骤3，采用干法刻蚀技术将该光刻胶点阵图形转移至二氧化硅掩膜层，同时在刻蚀过后的硅层上留下可充当刻蚀掩膜作用的氟碳基有机聚合物层；步骤4，将步骤3得到的衬底放入腐蚀液进行腐蚀，得到有序V形纳米硅孔阵列衬底；步骤5，利用氢氟酸溶液去除衬底上残留的二氧化硅，采用干法刻蚀技术去除氟碳基有机聚合物层，得到清洁的有序V形纳米硅孔阵列衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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