[发明专利]石墨烯光探测器及其制备方法有效
申请号: | 201210331609.8 | 申请日: | 2012-09-07 |
公开(公告)号: | CN102983178A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 肖柯;吕宏鸣;伍晓明;钱鹤;吴华强 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人: | 雷志刚;潘士霖 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种石墨烯光探测器及其制备方法,其中,石墨烯光探测器包括:基板;基板上形成有第一金属电极图形;第一金属电极图形上形成有第二金属电极图形;且任两个相邻的第一金属电极中:一第一金属电极上形成有第二金属电极,另一第一金属电极上没有第二金属电极;第一金属电极图形和第二金属电极图形上形成有石墨烯,石墨烯的功函数介于第一金属电极的功函数和第二金属电极的功函数之间,石墨烯上还形成有金属接触层图形,各金属接触电极与第一金属电极和第二金属电极对应。本发明降低了器件制备过程中对石墨烯迁移率等特性的影响,提高所制备的探测器的性能,可形成良好的电极接触,增大光电感应的频率范围。 | ||
搜索关键词: | 石墨 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯光探测器,其特征在于,包括:基板;所述基板上形成有第一金属电极图形,所述第一金属电极图形包括间隔分布的二个或二个以上的第一金属电极;所述第一金属电极图形上形成有第二金属电极图形,所述第二金属电极图形包括间隔分布的一个或一个以上的第二金属电极;且任两个相邻的第一金属电极中:一第一金属电极上形成有第二金属电极,另一第一金属电极上没有第二金属电极;所述第一金属电极图形和所述第二金属电极图形上形成有石墨烯,所述石墨烯的功函数,介于所述第一金属电极的功函数和所述第二金属电极的功函数之间;所述石墨烯上还形成有金属接触层图形,所述金属接触层图形包括二个或二个以上的金属接触电极,各金属接触电极与第一金属电极和第二金属电极对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的