[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210330511.0 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN103000673A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 田中圣康 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。一种提供紧凑性以及增大的漏极耐压的半导体器件。该半导体器件包括：栅电极；源电极，其与栅电极隔开；漏电极，在平面图中，其相对于栅电极与源电极相对地定位，并且与栅电极隔开；至少一个场板电极，在平面图中，其位于栅电极和漏电极之间，通过绝缘膜设置在半导体衬底上方，并且与栅电极、源电极和漏电极隔开；以及至少一个场板接触，其设置在绝缘膜中，将场板电极耦合到半导体衬底。在平面图中，场板电极从场板接触至少向着源电极或向着漏电极延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；栅电极，所述栅电极设置在所述半导体衬底上方；源电极，所述源电极设置在所述半导体衬底上方并且与所述栅电极隔开；漏电极，在平面图中，相对于所述栅电极，所述漏电极与所述源电极相对地定位，所述漏电极设置在所述半导体衬底上方并且与所述栅电极隔开；至少一个场板电极，在平面图中，所述场板电极位于所述栅电极和所述漏电极之间，所述场板电极通过绝缘膜设置在所述半导体衬底上方，并且与所述栅电极、所述源电极和所述漏电极隔开；以及至少一个场板接触，所述场板接触设置在所述绝缘膜中，将所述场板电极耦合到所述半导体衬底，在平面图中，所述场板电极从所述场板接触至少向着所述源电极或向着所述漏电极延伸。
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