[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

栅电极，所述栅电极设置在所述半导体衬底上方；

源电极，所述源电极设置在所述半导体衬底上方并且与所述栅电极隔开；

漏电极，在平面图中，相对于所述栅电极，所述漏电极与所述源电极相对地定位，所述漏电极设置在所述半导体衬底上方并且与所述栅电极隔开；

至少一个场板电极，在平面图中，所述场板电极位于所述栅电极和所述漏电极之间，所述场板电极通过绝缘膜设置在所述半导体衬底上方，并且与所述栅电极、所述源电极和所述漏电极隔开；以及

至少一个场板接触，所述场板接触设置在所述绝缘膜中，将所述场板电极耦合到所述半导体衬底，

在平面图中，所述场板电极从所述场板接触至少向着所述源电极或向着所述漏电极延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在从所述栅电极向着所述漏电极的第一方向上，设置有多个所述场板电极并且彼此隔开；并且

其中，所述场板接触设置在所述场板电极中的每一个上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，全部所述场板电极都从与耦合到所述场板电极的各场板接触、在一个方向上延伸。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述场板电极从与耦合到所述场板电极的各场板接触在一个方向上延伸，并且所述一个方向上的所述场板电极的端部之间的间隔彼此相等。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述场板电极和每个均设置在所述场板电极中的每一个上的所述场板接触被布置为使得当在关断栅极电压的情况下向所述漏电极施加电压时，施加到所述漏电极、所述栅电极和所述场板电极的电势以从所述漏电极到所述栅电极成线性梯度地变化。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在平面图中，所述场板电极从所述场板接触向着所述漏电极延伸。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在平面图中，所述场板电极从所述场板接触向着所述源电极延伸。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在平面图中，所述场板电极从所述场板接触向着所述源电极和所述漏电极两者延伸。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述半导体衬底具有二维电子气层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

源区和漏区，所述源区和漏区在所述半导体衬底中被设置为使得在平面图中位于所述栅电极的两侧；以及

LDD区，所述LDD区在所述半导体衬底中被设置为使得在平面图中位于所述栅电极和所述漏区之间，

其中，所述源电极耦合到所述源区；

其中，所述漏电极耦合到所述漏区；并且

其中，所述场板电极耦合到所述LDD区。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述绝缘膜还布置在所述栅电极下方，并且

其中，位于所述栅电极下方的所述绝缘膜用作栅极绝缘膜。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘膜布置在所述半导体衬底上方，并且覆盖所述栅电极。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，

其中，所述栅电极布置在位于所述半导体衬底上方的栅极绝缘膜上方；

其中，所述绝缘膜布置在所述栅电极和所述栅极绝缘膜上方，并且

其中，所述场板接触穿透所述绝缘膜和所述栅极绝缘膜，并且将所述场板电极耦合到所述半导体衬底。

14.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底上方形成绝缘膜；以及

在所述绝缘膜上方，形成位于栅电极两侧的源电极和漏电极以及所述栅电极和所述漏电极之间的场板电极，并且在所述绝缘膜中，形成场板接触，以将所述场板电极耦合到所述半导体衬底，

其中，在形成所述场板电极的步骤中，在平面图中，将所述场板电极形成为从所述场板接触至少向着所述源电极或者向着所述漏电极延伸。