[发明专利]静电放电保护电路装置有效
申请号: | 201210330111.X | 申请日: | 2012-09-07 |
公开(公告)号: | CN103681651A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 何永涵 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02H9/04 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种静电放电保护电路装置,包括具有第一导电型的基底、具有第二导电型的井区以及晶体管。晶体管包括位于基底中并且延伸到井区的具有第二导电型的第一掺杂区、具有第一导电型的第二掺杂区以及位于第一掺杂区与第二掺杂区之间的基底上的栅极。此装置还包括具有第二导电型的第三掺杂区以及具有第一导电型的第四掺杂区,依序位于具有第一导电型的第二掺杂区外侧的基底中并且接地。此装置还包括具有第一导电型的第五掺杂区以及具有第二导电型的第六掺杂区,依序位于具有第二导电型的第一掺杂区外侧的井区中并且连接焊垫。当静电放电电压施加于焊垫时,静电放电电压耦合至栅极。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护 电路 装置 | ||
【主权项】:
一种静电放电保护电路装置,其特征在于其包括:一基底,具有第一导电型;一井区,具有第二导电型,位于该基底中;一晶体管,包括:一第一掺杂区,位于该基底中并延伸至该井区中;一第二掺杂区,位于该基底中,与该第一掺杂区相邻;及一栅极,位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的该基底上;一第三掺杂区,具有第二导电型,位于该基底中;一第四掺杂区,具有第一导电型,位于该基底中,其中该第三掺杂区位于该第二掺杂区与该第四掺杂区之间;一第五掺杂区,具有第一导电型,位于该井区中;以及一第六掺杂区,具有第二导电型,位于该井区中,其中该第五掺杂区位于该第一掺杂区与该第六掺杂区之间,其中该第五掺杂区与该第六掺杂区电性连接到一焊垫,且该第三掺杂区与该第四掺杂区电性连接到一接地端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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