[发明专利]静电放电保护电路装置有效
申请号: | 201210330111.X | 申请日: | 2012-09-07 |
公开(公告)号: | CN103681651A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 何永涵 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02H9/04 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 放电 保护 电路 装置 | ||
1.一种静电放电保护电路装置,其特征在于其包括:
一基底,具有第一导电型;
一井区,具有第二导电型,位于该基底中;
一晶体管,包括:
一第一掺杂区,位于该基底中并延伸至该井区中;
一第二掺杂区,位于该基底中,与该第一掺杂区相邻;及
一栅极,位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的该基底上;
一第三掺杂区,具有第二导电型,位于该基底中;
一第四掺杂区,具有第一导电型,位于该基底中,其中该第三掺杂区位于该第二掺杂区与该第四掺杂区之间;
一第五掺杂区,具有第一导电型,位于该井区中;以及
一第六掺杂区,具有第二导电型,位于该井区中,其中该第五掺杂区位于该第一掺杂区与该第六掺杂区之间,
其中该第五掺杂区与该第六掺杂区电性连接到一焊垫,且该第三掺杂区与该第四掺杂区电性连接到一接地端。
2.根据权利要求1所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该栅极与该第二掺杂区之间有一距离。
3.根据权利要求2所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该晶体管还包括一淡掺杂区,该淡掺杂区与该第二掺杂区具有相同的导电型,且位于该栅极与该第二掺杂区之间的该基底中。
4.根据权利要求1所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该栅极与该第二掺杂区紧邻或重叠。
5.根据权利要求1所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该第六掺杂区、该井区、该第一掺杂区、该第二掺杂区、该基底、该第四掺杂区组成一第一放电路径。
6.根据权利要求1所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该第五掺杂区、该井区、该基底及该第三掺杂区组成一第二放电路径。
7.根据权利要求1所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该第一掺杂区具有该第二导电型。
8.根据权利要求1所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该第二掺杂区具有该第一导电型。
9.根据权利要求1所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该第一导电型为P型,该第二导电型为N型。
10.根据权利要求1所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中,当静电放电电压施加于该焊垫时,该静电放电电压耦合至该栅极。
11.一种静电放电保护电路装置,其特征在于其包括:
一基底,具有第一导电型;
一井区,具有第二导电型,位于该基底中;
一晶体管,包括:
一第一掺杂区,具有第二导电型,位于该基底中并延伸至该井区中;
一第二掺杂区,具有第一导电型,位于该基底中,与该第一掺杂区相邻;及
一栅极,位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的该基底上;
一第三掺杂区,具有第二导电型,位于该基底中;
一第四掺杂区,具有第一导电型,位于该基底中,其中该第三掺杂区位于该第二掺杂区与该第四掺杂区之间;
一第五掺杂区,具有第一导电型,位于该井区中;以及
一第六掺杂区,具有第二导电型,位于该井区中,其中该第五掺杂区位于该第一掺杂区与该第六掺杂区之间,
其中该第五掺杂区与该第六掺杂区电性连接到一焊垫,且该焊垫经由一电路分别电性连接到接地端与该栅极,该第三掺杂区与该第四掺杂区电性连接到接地端,且当静电放电电压施加于该焊垫时,该静电放电电压耦合至该栅极。
12.根据权利要求11所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该电路为电容C与电阻R构成的RC电路,该栅极电性连接到与该电容C以及该电阻R连接的一节点。
13.根据权利要求11所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该电路包括一控制电路。
14.根据权利要求11所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该栅极与该第二掺杂区之间有一距离。
15.根据权利要求14所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该晶体管还包括一淡掺杂区,其具有该第一导电型,位于该栅极与该第二掺杂区之间的该基底中。
16.根据权利要求11所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该栅极与该第二掺杂区紧邻或重叠。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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