[发明专利]静电放电保护电路装置有效

专利信息
申请号: 201210330111.X 申请日: 2012-09-07
公开(公告)号: CN103681651A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 何永涵 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H02H9/04
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 静电 放电 保护 电路 装置
【权利要求书】:

1.一种静电放电保护电路装置,其特征在于其包括:

一基底,具有第一导电型;

一井区,具有第二导电型,位于该基底中;

一晶体管,包括:

一第一掺杂区,位于该基底中并延伸至该井区中;

一第二掺杂区,位于该基底中,与该第一掺杂区相邻;及

一栅极,位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的该基底上;

一第三掺杂区,具有第二导电型,位于该基底中;

一第四掺杂区,具有第一导电型,位于该基底中,其中该第三掺杂区位于该第二掺杂区与该第四掺杂区之间;

一第五掺杂区,具有第一导电型,位于该井区中;以及

一第六掺杂区,具有第二导电型,位于该井区中,其中该第五掺杂区位于该第一掺杂区与该第六掺杂区之间,

其中该第五掺杂区与该第六掺杂区电性连接到一焊垫,且该第三掺杂区与该第四掺杂区电性连接到一接地端。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该栅极与该第二掺杂区之间有一距离。

3.根据权利要求2所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该晶体管还包括一淡掺杂区,该淡掺杂区与该第二掺杂区具有相同的导电型,且位于该栅极与该第二掺杂区之间的该基底中。

4.根据权利要求1所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该栅极与该第二掺杂区紧邻或重叠。

5.根据权利要求1所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该第六掺杂区、该井区、该第一掺杂区、该第二掺杂区、该基底、该第四掺杂区组成一第一放电路径。

6.根据权利要求1所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该第五掺杂区、该井区、该基底及该第三掺杂区组成一第二放电路径。

7.根据权利要求1所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该第一掺杂区具有该第二导电型。

8.根据权利要求1所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该第二掺杂区具有该第一导电型。

9.根据权利要求1所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该第一导电型为P型,该第二导电型为N型。

10.根据权利要求1所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中,当静电放电电压施加于该焊垫时,该静电放电电压耦合至该栅极。

11.一种静电放电保护电路装置,其特征在于其包括:

一基底,具有第一导电型;

一井区,具有第二导电型,位于该基底中;

一晶体管,包括:

一第一掺杂区,具有第二导电型,位于该基底中并延伸至该井区中;

一第二掺杂区,具有第一导电型,位于该基底中,与该第一掺杂区相邻;及

一栅极,位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的该基底上;

一第三掺杂区,具有第二导电型,位于该基底中;

一第四掺杂区,具有第一导电型,位于该基底中,其中该第三掺杂区位于该第二掺杂区与该第四掺杂区之间;

一第五掺杂区,具有第一导电型,位于该井区中;以及

一第六掺杂区,具有第二导电型,位于该井区中,其中该第五掺杂区位于该第一掺杂区与该第六掺杂区之间,

其中该第五掺杂区与该第六掺杂区电性连接到一焊垫,且该焊垫经由一电路分别电性连接到接地端与该栅极,该第三掺杂区与该第四掺杂区电性连接到接地端,且当静电放电电压施加于该焊垫时,该静电放电电压耦合至该栅极。

12.根据权利要求11所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该电路为电容C与电阻R构成的RC电路,该栅极电性连接到与该电容C以及该电阻R连接的一节点。

13.根据权利要求11所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该电路包括一控制电路。

14.根据权利要求11所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该栅极与该第二掺杂区之间有一距离。

15.根据权利要求14所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该晶体管还包括一淡掺杂区,其具有该第一导电型,位于该栅极与该第二掺杂区之间的该基底中。

16.根据权利要求11所述的静电放电保护电路装置,其特征在于其中该栅极与该第二掺杂区紧邻或重叠。

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