[发明专利]闪速存储器器件和系统有效
| 申请号： | 201210323552.7 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103137196A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 赖安·T·希罗斯;波格丹·乔盖斯库;克里斯堤涅·松特;阿希什·阿芒卡;维贾伊·拉加万;肖恩·马尔霍兰 | 申请（专利权）人： | 赛普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 周靖;郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种闪速存储器器件和系统。一个闪速存储器器件包括n-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（nMOSFET）、耦合到nMOSFET的硅-氧化物-氮化物-氧化物硅（SONOS）和耦合到nMOSFET和SONOS晶体管的被隔离的p-阱。闪速存储器系统包括被分为多个成对的扇区的存储器器件的阵列、耦合到所述多个扇区中的每一个的被配置为在擦除和编程操作期间向每个各自的扇区提供高电压的全局位线（GBL）、和被耦合在扇区各自的对之间的多个读出放大器。本发明还提供用于操作闪速存储器的方法。一个方法包括在擦除和编程操作期间经由GBL向成对的扇区提供高电压，以及在读取操作期间经由局部位线向每个存储器器件提供低电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 系统 | ||
【主权项】：
一种存储器器件，包括：n‑沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（nMOSFET）；硅‑氧化物‑氮化物‑氧化物硅（SONOS）晶体管，其耦合到所述nMOSFET；以及被隔离的扇区p‑阱（SPW），其耦合到所述nMOSFET和所述SONOS晶体管。
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