[发明专利]闪速存储器器件和系统

说明书

发明背景

发明领域

本发明大体上涉及存储器器件，并且更具体地涉及闪速存储器器件和闪速存储器系统。

相关技术的描述

当代的闪速存储器器件和系统是比它们应当具有的效率更低效率的。这种低效率的一个原因是以下事实，即闪速存储器器件被排列在单一阵列中或独立的较小阵列中，其以较大偏压操作用于典型的“读取”操作。例如，某些已知的之前的闪速存储器器件和系统需要在1.8伏特至5伏特的范围内的电压以便为单一阵列供电。

此外，之前的闪速存储器器件和系统是比它们应当具有的速度更低速度的。增加用于实行它们的功能的时间的一个原因是由于以下事实，即这些之前的闪速存储器器件和系统通过全局位线（GBL）将数据读取至读出放大器（SA）。此外，进行通过GBL的向SA的读取操作增加了会进一步限制读取操作的速度的寄生负载。因此，更快速的和更高效率的闪速存储器器件和系统是期望的。

附图简述

为了使本发明的优点容易理解，将通过参照在所附的附图中图示的具体的实施方案作出对上文简要地描述的本发明的更具体的描述。要理解的是，这些附图仅描绘了本发明的典型实施方案并且不因此被认为是对本发明范围的限制，本发明将通过使用附图以另外的方式和细节来描述和解释，在附图中：

图1是存储单元的一个实施方案的示意图；

图2是闪速存储器系统的一个实施方案的方框图；

图3是图2的闪速存储器系统中的存储器器件的一成对的扇区（sector）的方框图；以及

图4是用于操作闪速存储器系统的方法的一个实施方案的流程图。附图的详细描述

在本描述中对“一个实施方案”或“一实施方案”的指代意指与该实施方案相关地描述的具体的特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施方案中。位于本说明书中的各位置处的短语“在一个实施方案中”不一定指代同一个实施方案。

在以下的详细描述中，为了解释的目的，多种具体的细节被提出以提供对本申请的主题内容的充分的理解。然而，对于本领域的技术人员而言明显的是，所公开的实施方案、要求保护的主题内容以及它们的等效物可以在没有这些具体的细节的情况下被实践。

详细描述包括对附图的参考，其中附图形成详细描述的一部分。附图示出了根据示例性的实施方案的图示。这些实施方案还可以在本文中被称为“实施例”，其以足够的细节描述以使本领域的技术人员能够实践本文描述的要求保护的主题内容的实施方案。实施方案可以被组合，其他的实施方案可以被利用，或结构的、逻辑的和电的改变可以被作出，而不偏离要求保护的主题内容的范围和精神。应当理解，本文描述的实施方案无意于限制主题内容的范围，而是使本领域的技术人员能够实践、制造和/或使用主题内容。

本文描述的各种实施方案包括存储器电路和存储器系统。一个存储器电路包括活动存储器器件、非活动存储器器件、和被耦合在活动存储器器件和非活动存储器器件之间的读出放大器。存储器电路还包括被耦合在非活动存储器器件和读出放大器之间的参考电流。在多种实施方案中，活动存储器器件和非活动存储器器件是相同类型的存储器器件，并且非活动存储器器件是关于活动存储器器件中的漏电流和寄生负载的参考存储器器件。

一个存储器系统包括耦合于彼此的多个存储器电路。在此，每个存储器电路包括活动存储器器件、非活动存储器器件、和被耦合在活动存储器器件和非活动存储器器件之间的读出放大器。存储器电路还包括被耦合在非活动存储器器件和读出放大器之间的参考电流。在多种实施方案中，活动存储器器件和非活动存储器器件是相同类型的存储器器件，并且非活动存储器器件是关于活动存储器器件中的漏电流和寄生负载的参考存储器器件。

多种其他的实施方案提供用于感测存储器电路中的电流的方法。一个方法包括：向第一存储器器件供电；以及，比较第一存储器器件中的电流的量和参考电流，所述参考电流被耦合到与第一存储器器件是相同类型的存储器器件的第二存储器器件。

现在转向附图，图1是存储单元100的一个实施方案的示意图。至少在所图示的实施方案中，存储单元100包括硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅（SONOS）晶体管110、n-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（nMOSFET）120、和耦合到SONOS晶体管110和nMOSFET 120的被隔离的扇区p-阱（SPW）130。

SONOS晶体管110包括耦合到竖直源线（SL）的源极以及耦合到水平SONOS字线（WLS）的栅极。此外，SONOS晶体管110包括耦合到nMOSFET 120的漏极。