[发明专利]非晶氧化镧薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种非晶氧化镧薄膜的制备方法，用于解决现有方法制备非晶氧化镧薄膜的漏电流密度大、击穿电压低的技术问题。技术方案是将La2O3作为蒸发的膜料，p型Si(100)作为衬底；衬底清洗后，于真空室中用加热系统对衬底进行加热蒸发，使其温度保持在100～300°C；蒸发速率控制在1.5～3nm/min；离子辅助束流为20～30mA；真空室中真空度小于3×10-3Pa，蒸发过程中，使用纯度99.99％的Ar2作为工作气体、真空度保持在3.8×10-2Pa；沉积态的非晶La2O3薄膜在600～900°C快速热处理1min、5min、10min和15min，得到非晶氧化镧薄膜。由于通过优化非晶氧化镧薄膜的配方和工艺，获得漏电流密度小、介电常数高的非晶氧化镧薄膜。所制备的非晶氧化镧薄膜的漏电流密度由背景技术的～10-6A/cm2降低到～6.5×10-7A/cm2。

主权项

一种非晶氧化镧薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（a）将分析纯的La2O3作为蒸发的膜料，p型Si（100）晶向的硅片作为衬底，蒸发前衬底要彻底清洗，本底真空度小于3×10‑3Pa，蒸发过程中使用纯度均99.99％的Ar2作为工作气体、真空度保持在3.8×10‑2Pa；（b）加热系统将衬底加热，并将衬底温度保持在100～300°C；沉积过程中薄膜厚度使用XTC‑2石英晶振测量仪进行控制，蒸发速率控制在1.5～3nm/min；离子辅助束流为20～30mA；（c）沉积态的非晶La2O3薄膜在600～900°C快速热处理1min、5min、10min和15min。