[发明专利]非晶氧化镧薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210318980.0 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102864412A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 樊慧庆;杨陈;李强 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/24;C23C14/58;C23C14/54 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非晶氧化镧薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
（a）将分析纯的La2O3作为蒸发的膜料，p型Si（100）晶向的硅片作为衬底，蒸发前衬底要彻底清洗，本底真空度小于3×10-3Pa，蒸发过程中使用纯度均99.99％的Ar2作为工作气体、真空度保持在3.8×10-2Pa；
（b）加热系统将衬底加热，并将衬底温度保持在100～300°C；沉积过程中薄膜厚度使用XTC-2石英晶振测量仪进行控制，蒸发速率控制在1.5～3nm/min；离子辅助束流为20～30mA；
（c）沉积态的非晶La2O3薄膜在600～900°C快速热处理1min、5min、10min和15min。
2.根据权利要求1所述的非晶氧化镧薄膜的制备方法，其特征在于：所述La2O3的纯度是99.99％。
3.根据权利要求1所述的非晶氧化镧薄膜的制备方法，其特征在于：所述衬底的直径是75mm。
4.根据权利要求1所述的非晶氧化镧薄膜的制备方法，其特征在于：所述p型Si(100)的电阻率是2～10Ω·cm。
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