[发明专利]在升起特征上沉积高度共形无定形碳膜的方法有效
| 申请号： | 201210315731.6 | 申请日： | 2012-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN102956473A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 高羽博之 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及在升起特征上沉积高度共形无定形碳膜的方法。该用于形成半导体器件的方法包括：在处理室中的衬底保持器上设置衬底，其中所述衬底包含具有顶表面及侧表面的升起特征；使处理气体流入所述处理室，其中所述处理气体包含碳氢化合物气体，包含氧的气体，以及可选的氩或氦。该方法还包括在所述处理室中保持处理气体压力为至少1Torr；利用微波等离子体源来利用所述处理气体形成等离子体；并且将所述衬底暴露至等离子体，以在所述升起特征的表面上沉积共形无定形碳膜。 | ||
| 搜索关键词： | 升起 特征 沉积 高度 无定形碳 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体器件的方法，包括：在处理室中的衬底保持器上设置衬底，其中所述衬底包含具有顶表面及侧表面的升起特征；使处理气体流入所述处理室，其中所述处理气体包含碳氢化合物气体，包含氧的气体，以及可选的氩或氦；在所述处理室中保持处理气体压力为至少1Torr；利用微波等离子体源来利用所述处理气体形成等离子体；并且将所述衬底暴露至等离子体，以在所述升起特征的表面上沉积共形无定形碳膜，其中，在所述顶表面上的所述共形无定形碳膜的厚度与在所述侧壁表面上的所述共形无定形碳膜的厚度之比(d(顶部)/d(侧壁))小于2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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