[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210313635.8 | 申请日： | 2005-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102867855A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 细野秀雄;平野正浩;太田裕道;神谷利夫;野村研二 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是有关非晶形氧化物和采用该氧化物的薄膜晶体管。具体来说，提供电子载流子浓度未满1018/cm3的非晶形氧化物和采用该氧化物的薄膜晶体管。于具有源极电极6、汲极电极5、栅极电极4、栅极绝缘膜3和沟道层2的薄膜晶体管上，采用电子载流子浓度未满1018/cm3的非晶形氧化物作为前述沟道层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，是具有源极电极、汲极电极、闸极电极、闸极绝缘膜和沟道层的薄膜晶体管，其特征在于，前述沟道层采用在室温的电子移动度是0.1cm2/V·秒以上，室温的电子载流子浓度为1018/cm3以下的非晶形氧化物，前述非晶形氧化物是由InxZn1‑x氧化物，其中0.2≤x＜1、InxSn1‑x氧化物，其中0.8≤x＜1、或Inx(Zn、Sn)1‑x氧化物，其中0.15≤x＜1选出的非晶形氧化物。
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