[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效

申请号：	201210313635.8	申请日：	2005-02-28
公开（公告）号：	CN102867855A	公开（公告）日：	2013-01-09
发明（设计）人：	细野秀雄;平野正浩;太田裕道;神谷利夫;野村研二	申请（专利权）人：	独立行政法人科学技术振兴机构
主分类号：	H01L29/786	分类号：	H01L29/786;H01L21/34
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	蒋亭
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	薄膜晶体管及其制造方法
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【权利要求书】：

1.一种薄膜晶体管，是具有源极电极、汲极电极、闸极电极、闸极绝缘膜和沟道层的薄膜晶体管，其特征在于，

前述沟道层采用在室温的电子移动度是0.1cm²/V·秒以上，室温的电子载流子浓度为10¹⁸/cm³以下的非晶形氧化物，前述非晶形氧化物是由In_xZn_1-x氧化物，其中0.2≤x＜1、In_xSn_1-x氧化物，其中0.8≤x＜1、或In_x(Zn、Sn)_1-x氧化物，其中0.15≤x＜1选出的非晶形氧化物。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

所述非晶形氧化物在电子载流子浓度增加的同时，电子移动度也增加。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

所述非晶形氧化物显示简并化传导。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

非晶形氧化物已设于玻璃基板、金属基板、塑料基板或塑料薄膜上。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

采用Al₂O₃、Y₂O₃或HfO₂的一种，或含有至少二种该等化合物的混晶化合物为闸极极绝缘层。

6.一种薄膜晶体管的制造方法，其是权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，特征在于，

以由In_xZn_1-x氧化物，其中0.2≤x＜1、In_xSn_1-x氧化物，其中0.8≤x＜1、或In_x(Zn、Sn)_1-x氧化物，其中0.15≤x＜1选出的非晶形氧化物作为靶材，在含氧的气氛中，使用脉冲雷射蒸镀法、气相溅镀法成膜沟道层。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，

在室温下，在玻璃基板、金属基板、塑料基板或塑料薄膜上使沟道层及闸极绝缘膜成膜。