[发明专利]一种新型的GaN基绿光发光二极管器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201210309906.2 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN103633215A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 郝锐;马学进;吴质朴 | 申请（专利权）人： | 江门市奥伦德光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 发明涉及一种新型的可提高发光效率的GaN基绿光发光二极管器件及其制作方法，该器件结构包括：依次层叠的大倾角衬底、第一种半导体载流子注入层、多量子阱结构、第二种半导体载流子注入层。本发明所述新型GaN基绿光发光二极管器件通过采用沿着与外延材料晶格取向面呈0.25-0.55°倾角的方向上进行外延生长的方法制作而成。本发明制作的GaN基绿光发光二极管具有更高的发光效率和更好的反向电流电压特性，并且制备方法简单，工艺过程易控制，适合量产，对生长设备和工艺条件无特殊要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 gan 基绿光 发光二极管 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种新型的GaN基绿光发光二极管结构，其中包括：依次层叠的大倾角衬底、第一种半导体载流子注入层、多量子阱结构、第二种半导体载流子注入层，所述大倾角衬底为衬底生长窗口表面与外延材料晶格取向面倾斜一定角度，所述倾角为0.25‑0.55°。
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