[发明专利]数据读取电路、非易失性存储器件以及读取数据的方法无效
申请号: | 201210309222.2 | 申请日: | 2012-08-27 |
公开(公告)号: | CN102956268A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 金燦景;黄泓善;朴哲佑;姜尚范;吴洞録 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种非易失性存储器件包括单元阵列和感测放大电路,单元阵列包括多个存储单元。感测放大电路被配置成在存储单元的数据读取操作期间接收存储单元的数据电压、以及第一基准电压和第二基准电压,基于数据电压与第一基准电压和第二基准电压之间的电压电平差产生差分输出信号,并输出差分输出信号作为从存储单元读取的数据。 | ||
搜索关键词: | 数据 读取 电路 非易失性存储器 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种从非易失性存储器件读取数据的方法,包括:在第一感测放大器处接收数据电压、第一基准电压和第二基准电压,其中,数据电压对应于存储在存储单元中的数据;在第一感测放大器处感测数据电压与第一基准电压和第二基准电压之间的电压电平差以产生第一差分输出信号和第二差分输出信号;以及在第二感测放大器处放大第一差分输出信号和第二差分输出信号以产生存储单元的读取数据。
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