[发明专利]数据读取电路、非易失性存储器件以及读取数据的方法

权利要求书

1.一种从非易失性存储器件读取数据的方法，包括：

在第一感测放大器处接收数据电压、第一基准电压和第二基准电压，其中，数据电压对应于存储在存储单元中的数据；

在第一感测放大器处感测数据电压与第一基准电压和第二基准电压之间的电压电平差以产生第一差分输出信号和第二差分输出信号；以及

在第二感测放大器处放大第一差分输出信号和第二差分输出信号以产生存储单元的读取数据。

2.如权利要求1所述的方法，其中，第二感测放大器在第一延迟之后放大第一差分输出信号和第二差分输出信号。

3.如权利要求2所述的方法，其中，第一延迟是从第一感测放大器被使能时到第二感测放大器被使能时的时间。

4.如权利要求1所述的方法，还包括：

在接收数据电压以及第一基准电压和第二基准电压之前，响应于控制信号，把第一感测放大器的第一差分输出端子和第二差分输出端子预充电到第一电平电压。

5.如权利要求4所述的方法，其中，在第一感测放大器处执行的感测包括：

存储施加于第一差分输出端子和第二差分输出端子的两个电压电平，其中，两个电压电平基于数据电压与第一基准电压和第二基准电压之间的电压电平差。

6.如权利要求5所述的方法，其中，在第一感测放大器处执行的感测包括：

响应于被延迟了第一延迟的控制信号，把两个电压电平作为第一差分输出信号和第二差分输出信号从第一感测放大器提供给第二感测放大器，

其中，在第二感测放大器处执行的放大包括：

放大第一差分输出信号和第二差分输出信号；以及

输出放大的第一差分输出信号和第二差分输出信号作为读取数据。

7.一种非易失性存储器件，包括：

单元阵列，包括多个存储单元；以及

感测放大电路，被配置成在存储单元的数据读取操作期间接收存储单元的数据电压、以及第一基准电压和第二基准电压，基于数据电压与第一基准电压和第二基准电压之间的电压电平差产生差分输出信号，并输出差分输出信号作为从存储单元读取的数据。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器件，其中，所述感测放大电路包括：

第一感测放大器，响应于控制信号，第一感测放大器被配置成接收数据电压以及第一基准电压和第二基准电压，并基于数据电压与第一基准电压和第二基准电压之间的电压电平差产生差分输出信号；

延迟单元，被配置成接收控制信号并产生经延迟的控制信号；以及

第二感测放大器，响应于经延迟的控制信号，第二感测放大器被配置成放大差分输出信号，并输出放大的差分输出信号作为从存储单元读取的数据。

9.如权利要求7所述的非易失性存储器件，还包括：

第一基准电压产生单元，被配置成产生第一基准电压；以及

第二基准电压产生单元，被配置成产生第二基准电压，

其中，第一基准电压产生单元和第二基准电压产生单元与单元阵列分离。

10.如权利要求7所述的非易失性存储器件，还包括基准单元阵列，该基准单元阵列包括：

第一基准单元，被配置成产生第一基准电压；以及

第二基准单元，被配置成产生第二基准电压。

11.如权利要求10所述的非易失性存储器件，其中，第一基准单元和第二基准单元具有与存储单元相同的结构。

12.如权利要求7所述的非易失性存储器件，其中，所述数据电压具有高电压电平或者低电压电平。

13.如权利要求12所述的非易失性存储器件，其中，第一基准电压具有与数据电压相同的电压电平，并且第二基准电压具有与数据电压不同的电压电平。

14.如权利要求12所述的非易失性存储器件，其中，第二基准电压具有与数据电压相同的电压电平，并且第一基准电压具有与数据电压不同的电压电平。

15.如权利要求7所述的非易失性存储器件，其中，所述存储单元是磁随机存取存储器（MRAM）、相变随机存取存储器（PRAM）、电阻随机存取存储器（RRAM）或者铁电随机存取存储器（FRAM）。