[发明专利]MOCVD反应腔及MOCVD设备

摘要

发明公开了一种MOCVD反应腔及MOCVD设备。该MOCVD反应腔，包括：MOCVD反应腔，包括：腔体、进气装置和感应线圈，进气装置位于腔体的内部，感应线圈位于腔体的外部，进气装置用于向腔体的内部通入工艺气体，感应线圈用于产生磁场，MOCVD反应腔，还包括：用于承载衬底的承载装置，其中：承载装置与腔体同轴设置，且承载装置位于与中心轴具有设定距离的圆周上；穿过承载装置的磁力线平行于承载装置的表面并且穿过承载装置的磁力线的密度均匀分布。本发明的技术方案中，穿过承载装置的磁力线平行于承载装置的表面且密度均匀分布，使得感应线圈对承载装置的加热温度均匀，从而提高了工艺的均匀性。

主权项

一种MOCVD反应腔，包括：腔体、进气装置和感应线圈，所述进气装置位于所述腔体的内部，所述感应线圈位于所述腔体的外部，所述进气装置用于向所述腔体的内部通入工艺气体，所述感应线圈用于产生磁场，其特征在于，所述MOCVD反应腔，还包括：用于承载衬底的承载装置，其中：所述承载装置与所述腔体同轴设置，且所述承载装置位于与中心轴具有设定距离的圆周上；穿过所述承载装置的磁力线平行于所述承载装置的表面并且穿过所述承载装置的磁力线的密度均匀分布。