[发明专利]MOCVD反应腔及MOCVD设备

权利要求书

1.一种MOCVD反应腔，包括：腔体、进气装置和感应线圈，所述进气装置位于所述腔体的内部，所述感应线圈位于所述腔体的外部，所述进气装置用于向所述腔体的内部通入工艺气体，所述感应线圈用于产生磁场，其特征在于，所述MOCVD反应腔，还包括：用于承载衬底的承载装置，其中：

所述承载装置与所述腔体同轴设置，且所述承载装置位于与中心轴具有设定距离的圆周上；

穿过所述承载装置的磁力线平行于所述承载装置的表面并且穿过所述承载装置的磁力线的密度均匀分布。

2.根据权利要求1所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述腔体为筒状结构，所述承载装置为筒状结构。

3.根据权利要求2所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述承载装置的内表面上开设有若干个凹槽，每个凹槽中放置一个衬底。

4.根据权利要求3所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述承载装置表面上开设的凹槽呈斜坡状，斜坡状的凹槽整体向腔体的外侧倾斜，凹槽的表面与竖直面呈设定夹角，设定夹角小于10°且大于0°。

5.根据权利要求1所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述进气装置的外壁上开设有若干个进气口，进气口均匀分布于进气装置的外壁上，所述承载装置的内表面朝向所述进气装置，所述进气装置向腔体内通入的工艺气体的气流方向与承载装置的内表面垂直。

6.根据权利要求1所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述承载装置的数量为多个，多个承载装置均匀排布于与中心轴具有相同距离的圆周上。

7.根据权利要求1所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述承载装置绕轴向以预定速度旋转，所述承载装置的表面与所述进气装置之间的距离以及所述进气装置外壁上开设的进气口的宽度根据所述预定速度设置。

8.根据权利要求7所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述预定速度越大，所述承载装置的表面与所述进气装置之间的距离越大，所述进气口的宽度越大。

9.根据权利要求8所述的MOCVD反应腔，其特征在于，

所述预定速度大于或者等于50rpm且小于200rpm，所述承载装置的表面与所述进气装置之间的距离为10mm，所述进气口的宽度为0.05mm；或者，

所述预定速度大于或者等于200rpm且小于或者等于1500rpm，所述承载装置的表面与所述进气装置之间的距离为50mm，所述进气口的宽度为1mm。

10.根据权利要求1所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述承载装置与所述腔体之间形成有排气通道，所述承载装置上开设有若干排气口，所述排气口与所述排气通道连通；

所述排气口，用于将反应后的工艺气体排出至所述排气通道；

所述排气通道，用于将反应后的工艺气体排出至所述腔体的外部。

11.根据权利要求10所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述排气口位于所述衬底之间。

12.根据权利要求10所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述MOCVD反应腔还包括：设置于腔体两端的法兰结构，所述法兰结构上开设有与所述排气通道连通的排气结构；

所述排气结构，用于将排气通道中的反应后的工艺气体排出至所述腔体的外部。

13.根据权利要求1至12任一所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述腔体垂直于所述水平面设置。

14.一种MOCVD设备，其特征在于，包括：权利要求1至13任一所述的MOCVD反应腔。