[发明专利]一种实现局域寿命控制的IGBT及其制造方法

摘要

发明提出了一种实现局域寿命控制的IGBT及其制造方法，该IGBT包括集电区，在集电区之上形成有缓冲层，在缓冲层之上形成有漂移区，在集电区与漂移区之间形成有至少一层低寿命高复合层，该低寿命高复合层内具有复合中心，能够降低载流子的寿命，在漂移区内形成有阱区，在阱区内形成有发射区，在漂移区之上依次形成有栅介质层、栅极和发射极，在集电区之下形成有集电极。本发明在集电区与漂移区之间形成有至少一层低寿命高复合层，该低寿命高复合层可以复合器件通态时产生的大量过剩载流子，提高复合电流，减小集电区空穴注入，从而降低关断拖尾时间，达到降低开关时间、开关损耗的目的，并提高器件抗闩锁能力。

主权项

一种实现局域寿命控制的IGBT，其特征在于，包括：集电区，所述集电区为重掺杂；在所述集电区之上形成有缓冲层，所述缓冲层为重掺杂，其导电类型与所述集电区的导电类型相反；在所述缓冲层之上形成有漂移区，所述漂移区为轻掺杂，其导电类型与所述集电区的导电类型相反；在所述集电区与所述漂移区之间形成有至少一层低寿命高复合层，所述低寿命高复合层内具有复合中心；在所述漂移区内形成有阱区，在所述阱区内形成有发射区，所述阱区的导电类型与所述集电区的导电类型相同，所述发射区为重掺杂，其导电类型与所述集电区的导电类型相反；在所述漂移区之上依次形成有栅介质层、栅极和发射极；在所述集电区之下形成有集电极。