[发明专利]包括存储区和边缘区的超结半导体器件有效
| 申请号： | 201210307113.7 | 申请日： | 2012-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN103531611A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 弗朗茨·赫尔莱尔;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;乌韦·瓦尔;汉斯·韦伯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;李慧 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 超结半导体器件的漂移层包括第一导电型的第一部分以及与第一导电型相反的第二导电型的第二部分。第一和第二部分可形成于存储区和环绕存储区的边缘区内，其中通过漂移层的通态或正向电流流经存储区内的第一部分。第一和第二部分的至少一个而不是存储区内的第一部分包含辅助杂质或具有辅助结构以局部降低雪崩率。局部降低雪崩率增大了超结半导体器件的总电压阻断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 存储 边缘 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种超结半导体器件，包括：存储区内的至少一个掺杂区；形成于所述存储区和环绕所述存储区的边缘区内的漂移层，所述漂移层包括第一导电型的第一部分以及与所述第一导电型相反的第二导电型的第二部分，来自或流入至少一个掺杂区的通态电流或正向电流流经所述存储区的所述第一部分，以及其中，所述第一和第二部分中的至少一个而不是所述存储区内的所述第一部分包含辅助杂质或具有辅助结构，所述辅助杂质或所述辅助结构可工作以便局部降低雪崩率。
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