[发明专利]包括存储区和边缘区的超结半导体器件

权利要求书

1.一种超结半导体器件，包括：

存储区内的至少一个掺杂区；

形成于所述存储区和环绕所述存储区的边缘区内的漂移层，所述漂移层包括第一导电型的第一部分以及与所述第一导电型相反的第二导电型的第二部分，来自或流入至少一个掺杂区的通态电流或正向电流流经所述存储区的所述第一部分，以及

其中，所述第一和第二部分中的至少一个而不是所述存储区内的所述第一部分包含辅助杂质或具有辅助结构，所述辅助杂质或所述辅助结构可工作以便局部降低雪崩率。

2.根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，所述辅助杂质可工作以局部降低电荷载流子的平均自由程。

3.根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，所述辅助杂质可工作以局部降低电场强度。

4.根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，所述辅助结构可工作以局部降低电场强度。

5.根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，所述辅助杂质可工作以扩大电荷载流子在所述漂移层内的散射。

6.根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，所述辅助杂质在半导体材料的晶格内替换半导体材料的原子并适用于通过微扰晶格的晶势散射电荷载流子，其中所述半导体材料形成所述漂移层。

7.根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，所述辅助杂质作为施主或受主有效并且通过第二导电型杂质至少部分补偿所述第二部分的掺杂。

8.根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，所述辅助杂质作为施主和受主有效并且互相补偿。

9.根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，所述边缘区内所述第二部分中的至少一个包含辅助杂质或具有辅助结构。

10.根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，所述存储区和边缘区内的所有第二部分均包含辅助杂质或具有辅助结构。

11.根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，所述边缘区内所述第一部分中的至少一个包含辅助杂质。

12.根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，所述边缘区内所有第一部分和第二部分均包含辅助杂质。

13.根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，所述第一和第二部分为条带形并沿着垂直于通态或正向电流流动方向的方向以交替顺序布置。

14.根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，所述辅助结构由充电的电介质材料形成。

15.根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，每个辅助结构具有偏离所述漂移层的半导体材料的平均介电常数不超过20%的平均介电常数。

16.根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，每个辅助结构包括至少两个不同材料的子层。

17.根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，每个辅助结构布置在一个所述第二部分的中心部位。

18.根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，所述辅助杂质和所述辅助结构在所述存储区的所述第一部分内缺乏。

19.一种超结二极管，包括根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，所述至少一个掺杂区为第二导电型并直接邻接于所述存储区内的所述第一和第二部分。

20.一种超结绝缘栅场效应晶体管，包括根据权利要求1所述的超结半导体器件，其中，所述每个掺杂区为第一导电型并直接邻接于第二导电型的基底区，每个基底区直接邻接于至少一个所述第一部分和至一个所述第二部分。

21.一种制造超结半导体器件的方法，所述方法包括：

在存储区和环绕所述存储区的边缘区内形成漂移层，所述漂移层包括第一导电型的第一部分以及与所述第一导电型相反的第二导电型的第二部分；

在所述存储区内所述漂移层上方形成至少一个掺杂区，其中，来自或流入所述至少一个掺杂区的通态电流或正向电流流经所述存储区的第一部分；以及

在第一和第二部分中的至少一个而不是所述存储区内的所述第一部分内设置可工作以局部降低雪崩率的辅助杂质或辅助结构。