[发明专利]用于在花键轴上形成类金刚石碳膜的方法以及热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置有效
申请号: | 201210305330.2 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN102953044A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 安藤淳二;铃木知朗;小川友树;岩井昭宪;吉村信义;桥富弘幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社捷太格特;株式会社CNK |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/513;F16C3/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 田军锋;吴焕芳 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 多个花键轴(10)绕柱状等离子体(70a)布置,并且多个花键轴(10)在真空室(60)内沿柱状等离子体(70a)延伸的方向同轴地对准。多个同轴地对准的花键轴(10)定位为在相应的阳花键部(16)之间形成轴向间隙。多个阳花键部(16)的轴向间隙定位在柱状等离子体(70a)的沿柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心处。 | ||
搜索关键词: | 用于 花键轴 形成 金刚石 方法 以及 热阴极 电离 等离子 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种用于通过热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置(50)在花键轴(1)的阳花键部(16)上形成类金刚石碳膜(16c)的方法,其中,所述热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置(50)包括:i)真空室(60),所述真空室(60)容纳所述花键轴(1);ii)等离子枪(80);iii)反射电极(91),所述反射电极(91)布置在所述真空室(60)内;iv)第一线圈(92),所述第一线圈(92)绕所述等离子枪(80)布置;v)第二线圈(93),所述第二线圈(93)布置在反射电极(91)侧,所述第二线圈(93)面对所述第一线圈(92);vi)热阴极潘宁电离计型等离子源(70),所述热阴极潘宁电离计型等离子源(70)在所述真空室(60)中形成柱状等离子体(70a),该柱状等离子体(70a)具有凸出中心部;和vii)材料气体给送部(120),所述材料气体给送部(120)向所述真空室(60)供给材料气体,所述材料气体用作用于类金刚石碳膜(16c)的材料,所述方法的特征在于包括,在所述真空室(60)中绕所述柱状等离子体(70a)布置多个所述花键轴(1);沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向同轴地对准多个所述花键轴(1);将多个同轴地对准的所述花键轴(1)布置为在相应的所述阳花键部(16)之间形成轴向间隙;以及将多个所述阳花键部(16)的所述轴向间隙定位在所述柱状等离子体的沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心处。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的