[发明专利]用于在花键轴上形成类金刚石碳膜的方法以及热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置有效
申请号: | 201210305330.2 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN102953044A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 安藤淳二;铃木知朗;小川友树;岩井昭宪;吉村信义;桥富弘幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社捷太格特;株式会社CNK |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/513;F16C3/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 田军锋;吴焕芳 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 花键轴 形成 金刚石 方法 以及 热阴极 电离 等离子 化学 沉积 装置 | ||
1.一种用于通过热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置(50)在花键轴(1)的阳花键部(16)上形成类金刚石碳膜(16c)的方法,其中,所述热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置(50)包括:i)真空室(60),所述真空室(60)容纳所述花键轴(1);ii)等离子枪(80);iii)反射电极(91),所述反射电极(91)布置在所述真空室(60)内;iv)第一线圈(92),所述第一线圈(92)绕所述等离子枪(80)布置;v)第二线圈(93),所述第二线圈(93)布置在反射电极(91)侧,所述第二线圈(93)面对所述第一线圈(92);vi)热阴极潘宁电离计型等离子源(70),所述热阴极潘宁电离计型等离子源(70)在所述真空室(60)中形成柱状等离子体(70a),该柱状等离子体(70a)具有凸出中心部;和vii)材料气体给送部(120),所述材料气体给送部(120)向所述真空室(60)供给材料气体,所述材料气体用作用于类金刚石碳膜(16c)的材料,所述方法的特征在于包括,
在所述真空室(60)中绕所述柱状等离子体(70a)布置多个所述花键轴(1);
沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向同轴地对准多个所述花键轴(1);
将多个同轴地对准的所述花键轴(1)布置为在相应的所述阳花键部(16)之间形成轴向间隙;以及
将多个所述阳花键部(16)的所述轴向间隙定位在所述柱状等离子体的沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心处。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将偶数个的多个所述花键轴(1)在所述真空室(60)中沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向对准。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述花键轴(1)包括:i)所述阳花键部(16);以及ii)形成为U形的轭部(11),所述轭部(11)能够联接至其他构件,在所述轭部(11)形成为与所述阳花键部(16)分体的件之后,所述轭部(11)与所述阳花键部(16)结合为一件,
仅所述花键轴(1)的所述阳花键部(16)放置在所述真空室(60)内,
四个或更多个所述阳花键部(16)在所述真空室(60)内沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向对准,
靠近所述柱状等离子体的沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心处放置的两个所述阳花键部被定位为在两个所述阳花键部之间形成轴向间隙,并且
定位在所述柱状等离子体的沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心以外的两个所述阳花键部(16)以彼此抵靠的方式定位。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,其特征在于,所述花键轴(1)包括所述阳花键部(16)和U形的轭部(11),所述轭部(11)联接至其他构件并且与所述阳花键部(16)一体地形成为一件,
在所述真空室(60)内沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向对准的多个所述花键轴(1)布置为使得相应的所述轭部(11)沿轴向方向彼此面对并且交叠,并且
相应的所述轭部(11)放置在相应的所述阳花键部(16)之间的定位在所述柱状等离子体(70a)的沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心处的轴向间隙处。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向被对准从而使得相应的所述轭部(11)彼此面对的多个所述花键轴(1)为第一组(A1),
沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向(11)被对准从而使得相应的所述轭部面向外的多个所述花键轴(1)为第二组(A2),以及
所述第一组(A1)和所述第二组(A2)绕所述柱状等离子体(70a)沿圆周方向交替地布置。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述第一组(A1)的所述阳花键部(16)和所述第二组(A2)的所述阳花键部(16)沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向布置在相同位置。
7.一种热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置(50),包括:
真空室(60),所述真空室(60)容纳花键轴(1);
等离子枪(80);
反射电极(91),所述反射电极(91)布置在所述真空室(60)内;
第一线圈(92),所述第一线圈(92)布置为围绕所述等离子枪(80);
第二线圈(93),所述第二线圈(93)布置在反射电极(91)侧,所述第二线圈(93)面对所述第一线圈(92);
热阴极潘宁电离计型等离子源(70),所述热阴极潘宁电离计型等离子源(70)在所述真空室(60)中形成柱状等离子体(70a),所述柱状等离子体(70a)具有凸出中心部;以及
材料气体给送部(120),所述材料气体给送部(120)将材料气体给送至所述真空室(60)中,所述材料气体用作用于类金刚石碳膜(16c)的材料,
所述热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置(50)的特征在于,所述真空室(60)构造为:
(i)多个所述花键轴(1)在所述真空室(60)中绕所述柱状等离子体(70a)布置;
(ii)多个所述花键轴(1)沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向同轴地对准;
(iii)多个同轴地对准的所述花键轴(1)布置为在相应的所述阳花键部(16)之间形成轴向间隙,以及
(iv)多个所述阳花键部(16)的所述轴向间隙定位在所述柱状等离子体(70a)的沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心处。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社捷太格特;株式会社CNK,未经株式会社捷太格特;株式会社CNK许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210305330.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:气体流量检定系统及气体流量检定单元
- 下一篇:成褶组合物及其应用
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的