[发明专利]通过角落植入调整鳍状晶体管的阈值电压有效
| 申请号： | 201210303644.9 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN102956449A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | T·巴尔道夫;A·魏;T·赫尔曼;S·弗莱克豪斯基;R·伊尔根 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 当在共同制造顺序中形成精密的多栅极晶体管及平面型晶体管时，通过在半导体鳍片的角落区域中选择性加入掺杂物种，可故意使该等多栅极晶体管的阈值电压特性“降级”，由此多栅极晶体管与平面型晶体管的阈值电压特性可得到优异的调配。在较佳具体实施例中，可通过利用硬掩膜来实现掺杂物种的加入，它也可用来图案化自对准的半导体鳍片。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 角落 植入 调整 晶体管 阈值 电压 | ||
【主权项】：
一种方法，包括下列步骤：在一半导体区上方形成一硬掩膜，该硬掩膜具有决定要在该半导体区中形成的一半导体鳍片的横向尺寸的至少一掩膜特征；执行一植入工艺以在该半导体区的一表面上及附近加入一掺杂物种，同时使用该硬掩膜作为植入掩膜；在执行该植入工艺后，执行使用该硬掩膜作为蚀刻掩膜的一蚀刻工艺，以在该半导体区中形成该半导体鳍片；以及形成在该半导体鳍片上方及横向与该半导体鳍片相邻的一栅电极结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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