[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201210302841.9 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103137185B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 金昭廷 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 石卓琼,俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储装置，所述半导体存储装置包括第一开关、第二开关以及控制单元。所述第一开关响应于第一位线分开信号而将第一位线和读出放大器彼此耦接/分开。所述第二开关响应于第二位线分开信号而将第二位线和读出放大器彼此耦接。所述控制单元产生使能时段比第二位线分开信号的使能时段短的用于刷新操作的位线分开信号，并在刷新操作中将产生的用于刷新操作的位线分开信号提供给第二开关。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，包括：第一开关，所述第一开关被配置成响应于第一位线分开信号而将第一位线和读出放大器彼此连接/分开；第二开关，所述第二开关被配置成响应于第二位线分开信号而将第二位线和所述读出放大器彼此耦接；以及控制单元，所述控制单元被配置成产生使能时段比所述第二位线分开信号的使能时段短的用于刷新操作的位线分开信号，并在刷新操作中将产生的所述用于刷新操作的位线分开信号提供给所述第二开关，其中，读出放大器被配置成响应于读出放大器使能信号而感测并放大第一位线和第二位线之间的电压电平差。
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