[发明专利]用于P-SiC欧姆接触的界面过渡层复合结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201210298644.4 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102931224A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 汤益丹;刘可安;申华军;白云;李博;王弋宇;刘新宇;李诚瞻;史晶晶 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于P-SiC欧姆接触的界面过渡层复合结构，该界面过渡层复合结构处于SiC衬底与金属层之间，包括富Al层和特定化学成分配比的碳化物混合层，其中，富Al层形成于SiC衬底之上，特定化学成分配比的碳化物混合层形成于富Al层之上，金属层形成于特定化学成分配比的碳化物混合层之上。本发明同时公开了一种制作界面过渡层复合结构的方法。利用本发明提出的界面过渡层复合结构，可有效调节接触势垒高度，提高接触层载流子浓度，增加载流子隧穿机率，有效实现P型SiC材料的良好欧姆接触，且本发明公开的界面过渡层复合结构制作方法简单、可重复性高。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 sic 欧姆 接触 界面 过渡 复合 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种界面过渡层复合结构，其特征在于，该界面过渡层复合结构处于SiC衬底与金属层之间，包括富Al层和特定化学成分配比的碳化物混合层，其中，富Al层形成于SiC衬底之上，特定化学成分配比的碳化物混合层形成于富Al层之上，金属层形成于特定化学成分配比的碳化物混合层之上。
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