[发明专利]一种Bipolar电路中的二价硼离子注入工艺无效
| 申请号： | 201210296478.4 | 申请日： | 2012-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN102779714A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 张伟东;雷辉;王旭;李其鲁 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/304;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Bipolar电路中的二价硼离子注入工艺，包括确定二价硼离子的电荷数和荷质比；由吸出组件对在离子源形成的混合等离子体加速，磁分析器根据固有曲率半径和二价硼离子的荷质比调节磁场强度，筛选出二价硼离子；剂量控制系统根据单个注入的二价硼离子的电荷数和注入离子剂量，在剂量控制系统中设定设备所参考的二价硼离子注入总剂量；剂量积分系统根据中和的电子总量累积计算出输出的二价硼离子注入总剂量并将其反馈到剂量控制系统里，以控制二价硼离子注入到待加工器件中。本发明可根据待筛选的二价硼离子的荷质比调节磁场强度，筛选出二价硼注入离子，并可根据二价硼离子的电荷数控制二价硼离子注入总剂量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bipolar 电路 中的 二价 离子 注入 工艺 | ||
【主权项】：
一种Bipolar电路中的二价硼离子注入工艺，在离子注入机中进行，所述离子注入机包括离子源、吸出组件、磁分析器、剂量控制系统和剂量积分系统，其特征在于，所述二价硼离子注入工艺包括：确定带筛选的所述二价硼离子的电荷数和荷质比；将掺杂气体通入所述离子源进行电离作用，在所述离子源中形成具有不同荷质比的混合等离子体，所述吸出组件对混合等离子体进行加速形成进入所述磁分析器的离子束，所述磁分析器根据自身的固有曲率半径和所述二价硼离子的荷质比调节磁场强度，以从所述离子束中筛选出注入的所述二价硼离子；所述剂量控制系统根据单个注入的所述二价硼离子的电荷数和注入离子剂量，以在所述剂量控制系统中设定设备所参考的所述二价硼离子注入总剂量；所述剂量积分系统根据中和的电子总量累积计算出输出的所述二价硼离子注入总剂量，并将其反馈到剂量控制系统里，以控制所述二价硼离子注入到待加工器件中。
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