[发明专利]放射线检测器和放射线图像摄影装置无效
申请号: | 201210295844.4 | 申请日: | 2012-08-17 |
公开(公告)号: | CN102956659A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 西纳直行;中津川晴康;大田恭义;佐藤圭一郎 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;A61B6/00;G01T1/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香兰;孟伟青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种放射线检测器和放射线图像摄影装置,所述放射线检测器和放射线图像摄影装置可以抑制与放射线的累积照射量对应的荧光体层感度的劣化,并且可以提高所得到的放射线图像的品质。在放射线检测器(20)中,将闪烁体(8A)设置于闪烁体(8B)的相对于放射线的照射方向的下游侧,并且设置有TFT基板(30B)和TFT基板(30A)这两个基板,所述闪烁体(8A)吸收的放射线的能量相比于闪烁体(8B)为低能量,并且与放射线的累积照射量对应的闪烁体感度的劣化比闪烁体(8B)激烈,所述TFT基板(30B)主要取得与由闪烁体(8B)所产生的光对应的电荷,所述TFT基板(30A)主要取得与由闪烁体(8A)所产生的光对应的电荷。 | ||
搜索关键词: | 放射线 检测器 图像 摄影 装置 | ||
【主权项】:
一种放射线检测器,其特征在于,该放射线检测器具备:第1荧光体层,该第1荧光体层产生与所照射的放射线对应的第1光;第1基板,该第1基板与所述第1荧光体层层积,并具有第1光电转换元件和第1开关元件,所述第1光电转换元件产生与照射的光对应的电荷,所述第1开关元件用于读出由所述第1光电转换元件产生的电荷;第2荧光体层,该第2荧光体层设置于所述第1荧光体层的相对于所述放射线的照射方向的下游侧,产生与隔着所述第1荧光体层所照射的放射线对应的第2光,并且,该第2荧光体层吸收的放射线能量低于所述第1荧光体层吸收的放射线能量;和第2基板,该第2基板与所述第2荧光体层层积,并具有第2光电转换元件和第2开关元件,所述第2光电转换元件产生与照射的光对应的电荷,所述第2开关元件用于读出由所述第2光电转换元件产生的电荷;所述照射的光由所述第1光和所述第2光中的至少任意一种构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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