[发明专利]放射线检测器和放射线图像摄影装置无效
申请号: | 201210295844.4 | 申请日: | 2012-08-17 |
公开(公告)号: | CN102956659A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 西纳直行;中津川晴康;大田恭义;佐藤圭一郎 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;A61B6/00;G01T1/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香兰;孟伟青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放射线 检测器 图像 摄影 装置 | ||
技术领域
本发明涉及放射线检测器和放射线图像摄影装置,特别涉及用于检测所照射的放射线的放射线检测器、和对由该放射线检测器检测出的放射线所显示的放射线图像进行摄影的放射线图像摄影装置。
背景技术
近年来,FPD(Flat Panel Detector(平板检测器))等放射线检测器已经投入了实际使用,在FPD中,在TFT(Thin Film Transistor(薄膜晶体管))有源矩阵基板上设置有放射线敏感层,可以将X射线等放射线直接转换为数字数据。与以往的使用X射线膜或成像板的放射线图像摄影装置相比,使用了该放射线检测器的放射线图像摄影装置具有能够即时确认图像、也能够进行连续摄影放射线图像的透视摄影(动态图像摄影)这样的优点。
对于这种放射线检测器提出了各种类型,例如有间接转换方式,其中,利用CsI:Tl、GOS(Gd2O2S:Tb)等闪烁体将放射线暂时转换成光,然后利用光电二极管等传感部将所转换的光转换成电荷并蓄积这些电荷。在放射线图像摄影装置中,读出蓄积在放射线检测器中的电荷作为电信号,利用增幅器对读出的电信号进行增幅后,利用A/D(模拟/数字)转换部转换成数字数据。
然而,为了降低对被检测者(患者)的辐射量,以往存在有下述放射线检测器,该放射线检测器具有包含感度较高的柱状结晶的荧光体层(闪烁体)。
在该技术中,为了增加基于柱状结晶的放射线的吸收量,作为一个示例,由日本特开2008-51793号公报的图11可知,需要使闪烁体层的膜厚相当厚。但是,对于增加闪烁体层的膜厚,除了成本上升这样的问题之外,还存在下述问题:膜厚越厚,则越需要提高柱状结晶的初期部(根的部分)中的空隙率,结果会使该初期部处的发光量下降。
即,在柱状结晶的蒸镀中,柱径是以预定的波动而变化的,因此膜厚越厚,上述波动的最大值发生的概率越高,结果使柱状部彼此接触的可能性变高。而且,柱状部彼此一旦接触则熔合的可能性高,这会导致图像虚化。另外,柱状部的长度也具有预定的波动,并且若在蒸镀的基材上存在异物等的附着,则膜厚越厚,异常生长的柱状部的长度也越长。因此,在蒸镀的工序后,需要通过对异常生长的柱状部挤压等来降低其长度的工序,使制造工序变得复杂。并且,因挤压,有时也会对异常生长的周围的正常的柱状部造成损伤。因此,在增加闪烁体层的膜厚的情况下,为了防止上述熔合,防止针对柱状部的异常生长的工序的复杂化、正常生长的柱状部的损伤,需要提前降低柱状结晶的填充率(提高初期部的空隙率)。例如,在国际专利公开WO2010/007807号说明书中公开了,在柱状结晶的闪烁体层的膜厚为100μm~500μm以上的情况下,所公开的闪烁体的柱状结晶的填充率为75%~90%。另外,日本特开2006-58099号公报中公开了,在柱状结晶的闪烁体层的膜厚为500μm以上的情况下,所公开的闪烁体的柱状结晶的填充率为70%~85%。
作为能够用于解决以上问题的技术,在专利文献1中为了提供一种清晰度优异且检测效率高的放射线数字图像摄影装置而公开了一种放射线数字图像摄影装置,其具有由荧光体颗粒和粘合剂树脂构成的荧光体层,其特征在于,所述荧光体层由以平板构成的第1荧光体层和大致柱状的第2荧光体层构成,所述第2荧光体层按照与所述第1荧光体层相接的方式设置,并且与各像素对应设置。
需要说明的是,在专利文献1中,公开了下述结构:从照射放射线的一侧,依次层积有大致柱状的第2荧光体层、平板状的第1荧光体层和设置有光电转换元件的基板。
另外,在专利文献2中,为了提供一种在提高光转换效率的同时,能够取得高画质的图像的放射线图像检测器而公开了一种放射线图像检测器,其是层积有波长转换层和检测器的放射线图像检测器,所述波长转换层含有受到放射线的照射而能够将该放射线转换成更长波长的光的荧光体,所述检测器能够检测出由该波长转换层转换得到的光并将该光转换为表示放射线图像的图像信号,该放射线图像检测器的特征在于,所述波长转换层至少层积有第1荧光体层和第2荧光体层这两个层,从所述检测器侧依次配置有所述第2荧光体层和所述第1荧光体层,所述第1荧光体层含有将由该第1荧光体层转换得到的光进行吸收的吸收剂。
需要说明的是,在专利文献2中,公开了下述结构:从照射放射线的一侧,依次层积了设置有光电转换元件的基板、由GOS构成的平板状的第2荧光体层、和由CsI构成的柱状的第1荧光体层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-181941号公报
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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