[发明专利]一种降低P型衬底HIT太阳能电池串阻的方法无效
| 申请号： | 201210294465.3 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN103094395A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 崔艳峰;袁声召;石建华;陆中丹;孟凡英;刘正新 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 213031 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了降低P型衬底HIT太阳能电池串阻的方法。根据本发明的一种P型衬底HIT太阳能电池，包括：P型晶硅衬底层；P型晶硅衬底层两侧的第一和第二本征非晶硅层；第一本征非晶硅层外侧的N型非晶硅层；第二本征非晶硅层外侧的P型非晶硅层；N型非晶硅层外侧的第一TCO层和电极；以及P型非晶硅层外侧的第二TCO层和电极，其中，所述第二TCO层是由高功函数TCO层和低功函数TCO层组成的叠层，高功函数TCO层和P型非晶硅层接触。本发明同时公开了形成上述太阳能电池的相应方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 衬底 hit 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
一种P型衬底HIT太阳能电池，包括：P型晶硅衬底层；P型晶硅衬底层两侧的第一和第二本征氢化非晶硅层；第一本征氢化非晶硅层外侧的N型氢化非晶硅层；第二本征氢化非晶硅层外侧的P型氢化非晶硅层；N型氢化非晶硅层外侧的第一TCO层和电极；以及P型氢化非晶硅层外侧的第二TCO层和电极，其中，所述第二TCO层是由高功函数TCO层和低功函数TCO层组成的叠层，高功函数TCO层和P型氢化非晶硅层接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司，未经常州天合光能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210294465.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：直流电机的过载保护方法及系统
- 下一篇：葡萄籽片及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
