[发明专利]一种降低P型衬底HIT太阳能电池串阻的方法无效
| 申请号： | 201210294465.3 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN103094395A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 崔艳峰;袁声召;石建华;陆中丹;孟凡英;刘正新 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 213031 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 衬底 hit 太阳能电池 方法 | ||
1.一种P型衬底HIT太阳能电池，包括：
P型晶硅衬底层；
P型晶硅衬底层两侧的第一和第二本征氢化非晶硅层；
第一本征氢化非晶硅层外侧的N型氢化非晶硅层；
第二本征氢化非晶硅层外侧的P型氢化非晶硅层；
N型氢化非晶硅层外侧的第一TCO层和电极；以及
P型氢化非晶硅层外侧的第二TCO层和电极，
其中，所述第二TCO层是由高功函数TCO层和低功函数TCO层组成的叠层，高功函数TCO层和P型氢化非晶硅层接触。
2.如权利要求1所述的HIT太阳能电池，其特征在于，所述高功函数TCO层的功函数大于5eV。
3.如权利要求1所述的HIT太阳能电池，其特征在于，所述低功函数TCO层的功函数为4.6－4.8eV。
4.如权利要求1所述的HIT太阳能电池，其特征在于，所述低功函数TCO层和所述第一TCO层的功函数基本相同。
5.一种P型衬底HIT太阳能电池的制备方法，包括：
在P型晶硅衬底层形成两侧形成第一和第二本征氢化非晶硅层；
第一本征氢化非晶硅层外侧形成N型氢化非晶硅层；
在第二本征氢化非晶硅层外侧形成P型氢化非晶硅层；
在N型氢化非晶硅层外侧形成第一TCO层；
在所述P型氢化非晶硅层外侧形成第二TCO层；
在所述第一TCO层和第二TCO层上分别形成电极，
其中，形成所述第二TCO层包括：在所述P型氢化非晶硅层外侧形成高功函数TCO层，然后形成低功函数TCO层。
6.如权利要求5所述的P型衬底HIT太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述高功函数TCO层的功函数大于5eV。
7.如权利要求5所述的P型衬底HIT太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述低功函数TCO层的功函数为4.6－4.8eV。
8.如权利要求5所述的P型衬底HIT太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述低功函数TCO层和所述第一TCO层的功函数基本相同。
9.如权利要求5－8中任一项所述的P型衬底HIT太阳能电池的制备方法，其特征在于，通过控制TCO层沉积过程中的氧分压，来控制所获得的功函数。
10.一种P型衬底HIT太阳能电池，其特征在于，和P型氢化非晶硅层接触的是TCO叠层，所述TCO叠层由高功函数TCO层和低功函数TCO层构成，其中所述高功函数TCO层与P型氢化非晶硅层接触，所述高功函数TCO层的功函数比所述低功函数TCO层更加接近所述P型氢化非晶硅层的功函数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
