[发明专利]具有逆向侵蚀轮廓表面的溅射靶、溅射系统、及其使用方法有效

专利信息
申请号: 201210293401.1 申请日: 2012-08-16
公开(公告)号: CN102953038A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 阙嘉良;陈国洲;李仁铎;孟宪梁;林俊维 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种溅射靶,该溅射靶包括平坦垫板和形成在该平坦垫板上方的靶材料,并且包括具有较厚部分和较薄部分的不平坦溅射表面,并且与诸如具有固定磁体装置的磁控溅射工具的溅射装置结合在一起进行配置。将不平坦表面为与由磁体装置生成的磁场结合在一起进行设计,以将较厚溅射靶部分设置在溅射靶侵蚀发生速度高的位置。还提供了一种磁控溅射系统,以及一种方法,该方法用于应用具有不平坦溅射表面的溅射靶的方法,使得使用靶的过程中将溅射靶上的厚度变得更加均匀。本发明还提供了一种具有逆向侵蚀轮廓表面的溅射靶、溅射系统、及其使用方法。
搜索关键词: 具有 逆向 侵蚀 轮廓 表面 溅射 系统 及其 使用方法
【主权项】:
一种溅射靶,能够与磁控溅射系统中的磁体装置一起使用,并且包括设置在平坦垫板上方的靶材料,所述靶材料具有包括较厚部分和较薄部分的不平坦上溅射表面。
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