[发明专利]具有逆向侵蚀轮廓表面的溅射靶、溅射系统、及其使用方法

权利要求书

1.一种溅射靶，能够与磁控溅射系统中的磁体装置一起使用，并且包括设置在平坦垫板上方的靶材料，所述靶材料具有包括较厚部分和较薄部分的不平坦上溅射表面。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，所述较厚部分的厚度至少是所述较薄部分的厚度的1倍，并且所述不平坦上溅射表面的厚度在所述较薄部分和所述较厚部分之间逐渐变化。

3.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，所述靶材料包括与所述平坦垫板相接合的平坦底表面。

4.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，当所述溅射靶被安装在所述磁控溅射系统中时，所述较薄部分被设置在磁体装置的磁极上方，并且当所述溅射靶被安装在所述磁控溅射系统中时，所述较厚部分被设置在所述磁体装置的磁极之间。

5.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，所述磁体装置包括具有穿过所述靶延伸的弧形横截面的磁场，并且所述弧形在相对于所述不平坦上溅射表面的椭圆形方向上延伸。

6.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，所述溅射靶的形状为圆形，并且其中，每一个所述较薄部分和每一个所述较厚部分都围绕着所述溅射靶弓形地延伸。

7.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，所述溅射靶为二元材料，并且包括银、金、钯、铜、铝、铂、镍、铬、钽、钛、铝铜、钨、和碳中的至少两种。

8.一种溅射系统，用于利用物理汽相沉积(PVD)将膜溅射到半导体衬底上，所述溅射系统包括：

磁控溅射装置，包括用于安装靶的靶支架；

磁体装置，包括在相对于所述靶支架的固定位置设置的多个北磁极和多个南磁极；以及

溅射靶，能够安装在所述靶支架上，并且包括具有不平坦溅射表面的靶材料，当所述溅射靶被设置在所述靶支架上时，所述靶材料包括位于所述北磁极和所述南磁极上方的较薄靶材料部分，并且当所述溅射靶被设置在所述靶支架上时，所述靶材料包括位于所述北磁极和南磁极之间的较厚靶材料部分。

9.根据权利要求8所述的溅射系统，其中，所述磁体装置生成了具有弧形横截面的闭环圆形路径的磁场，并且其中，所述较薄靶材料部分位于所述弧形的相应的底部，所述较厚靶材料部分位于所述弧形的顶部。

10.根据权利要求8所述的溅射系统，其中，所述溅射靶包括设置在垫板的平坦表面上的所述靶材料，所述垫板能够附接于所述靶支架。