[发明专利]多晶硅晶体管制造方法及多晶硅晶体管、显示器件无效
| 申请号： | 201210291360.2 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102789989A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 石磊 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;赵爱军 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅晶体管制造方法及多晶硅晶体管、显示器件，为解决现有技术中存在的，多晶硅晶体管源极及漏极-半导体接触电阻偏高的问题，该方法包括，形成多晶硅层，在多晶硅层上形成高功函接触层，在高功函接触层上形成金属电极，由于在多晶硅层上形成镍金属层，利用多晶硅高迁移率以及镍金属相对于多晶硅的高功函特性，达到降低接触电阻的目的，从而实现降低开启电压和器件功耗的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 晶体管 制造 方法 显示 器件 | ||
【主权项】：
一种多晶硅晶体管制造方法，其特征在于，包括：形成多晶硅层；在多晶硅层上形成高功函接触层；在高功函接触层上形成源极及漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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