[发明专利]多晶硅晶体管制造方法及多晶硅晶体管、显示器件无效
| 申请号： | 201210291360.2 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102789989A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 石磊 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;赵爱军 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 晶体管 制造 方法 显示 器件 | ||
1.一种多晶硅晶体管制造方法，其特征在于，包括：
形成多晶硅层；
在多晶硅层上形成高功函接触层；
在高功函接触层上形成源极及漏极。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述形成多晶硅层包括：
形成一层非晶硅，然后通过构图工艺形成非晶硅层图形；
在非晶硅层图形上涂覆光刻胶；
进行掩膜曝光，形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域，去除光刻胶去除区域的光刻胶；
形成一层诱导晶化金属，或者在光刻胶去除区域将诱导晶化金属注入到非晶硅层图形；
去除光刻胶；
进行退火处理形成多晶硅层。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述在多晶硅层上形成高功函接触层包括：
在多晶硅层上涂覆光刻胶；
进行掩膜曝光，形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域，去除光刻胶去除区域的光刻胶，之后形成高功函材料层；
去除光刻胶得到高功函接触层。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述诱导晶化金属为镍，所述高功函接触层的材料为镍。
5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述进行退火处理具体为：在H2气氛及520-580℃的温度下退火。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在高功函接触层上形成源极及漏极具体为：
在高功函接触层上沉积层间绝缘层，在层间绝缘层上形成接触孔；
形成源极和漏极电极层，对源极和漏极金属层进行光刻，形成源极和漏极。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述形成多晶硅层步骤前包括：
在基板上形成栅极图形；
沉积栅极绝缘层。
8.一种多晶硅晶体管，其特征在于，根据权利要求1至7中任一权利要求所述的制造方法生成。
9.一种显示器件，其特征在于，包括有如权利要求8所述的多晶硅晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
