[发明专利]多晶硅晶体管制造方法及多晶硅晶体管、显示器件

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器领域，特别是指一种多晶硅晶体管制造方法及多晶硅晶体管、显示器件。

背景技术

晶体管是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。限制晶体管半导体器件性能的一个重要的因素是器件间不能形成很好的欧姆接触，接触电阻过大导致电能转化为热能，增加了器件的功耗，严重时还会导致器件的失效。降低多晶硅晶体管源极及漏极-半导体的接触电阻对半导体器件性能的提高有重要的意义。而现有的多晶硅晶体管源极及漏极-半导体接触电阻偏高。

由此可见现有技术中存在，多晶硅晶体管源极及漏极-半导体接触电阻偏高的问题。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术中存在的，多晶硅晶体管源极及漏极-半导体接触电阻偏高的问题，提供一种多晶硅晶体管制造方法及多晶硅晶体管、器件。

本发明所提供一种多晶硅晶体管制造方法，包括：

形成多晶硅层；

在多晶硅层上形成高功函接触层；

在高功函接触层上形成源极及漏极。

进一步，所述形成多晶硅层包括：

形成一层非晶硅，然后通过构图工艺形成非晶硅层图形；

在非晶硅层图形上涂覆光刻胶；

进行掩膜曝光，形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域，去除光刻胶去除区域的光刻胶；

形成一层诱导晶化金属，或者在光刻胶去除区域将诱导晶化金属注入到非晶硅层图形；

去除光刻胶；

进行退火处理形成多晶硅层。

进一步，所述在多晶硅层上形成高功函接触层包括：

在多晶硅层上涂覆光刻胶；

进行掩膜曝光，形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域，去除光刻胶去除区域的光刻胶，之后形成高功函材料层；

去除光刻胶得到高功函接触层。

进一步，所述诱导晶化金属为镍，所述高功函接触层的材料为镍。

进一步，所述进行退火处理具体为：在H2气氛及520-580℃的温度下退火。

进一步，所述在高功函接触层上形成源极及漏极具体为：

在高功函接触层上沉积层间绝缘层，在层间绝缘层上形成接触孔；

形成源极和漏极电极层，对源极和漏极金属层进行光刻，形成源极和漏极。

进一步，所述形成多晶硅层步骤前包括：

在基板上形成栅极图形；

沉积栅极绝缘层。

本发明还提供一种多晶硅晶体管，根据前述的制造方法生成。

本发明还提供一种显示器件，包括有前述的多晶硅晶体管。

由于在多晶硅层上形成高功函接触层，利用多晶硅高迁移率以及高功函接触层相对于多晶硅的高功函特性，达到降低接触电阻的目的，从而实现降低开启电压和器件功耗的效果。

附图说明

图1表示本发明实施例提供的方法流程图；

图2表示本发明实施例提供的形成栅极图形后的多晶硅晶体管结构图；

图3表示本发明实施例提供的形成半导体层图形后的多晶硅晶体管结构图；

图4表示本发明实施例提供的溅射一层5nm的镍后的多晶硅晶体管结构图；

图5表示本发明实施例提供的非晶硅层上涂覆的光刻胶后的多晶硅晶体管结构图；

图6表示本发明实施例提供的形成多晶硅层后的多晶硅晶体管结构图；

图7表示本发明实施例提供的溅射一层100nm的镍后的多晶硅晶体管结构图；

图8表示本发明实施例提供的沉积层间绝缘层后的多晶硅晶体管结构图；

图9表示本发明实施例提供的形成接触孔后的多晶硅晶体管结构图；

图10表示本发明实施例提供的溅射源极及漏极电极层后的多晶硅晶体管结构图；

图11表示本发明实施例提供的进行源极及漏极极掩膜后的多晶硅晶体管结构图；

图12表示本发明实施例提供的形成源极及漏极电极后的多晶硅晶体管结构图。

具体实施方式

为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

本发明实施例提供一种多晶硅晶体管的制造方法，如图1包括：

步骤101：形成多晶硅层；

步骤102：在多晶硅层上形成高功函接触层，如镍金属层；

步骤103：在高功函接触层（如镍金属层）上形成金属电极。

具体地，上述形成多晶硅层的步骤101包括：

形成一层非晶硅，然后通过构图工艺形成非晶硅层图形；