[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件制造方法，通过回刻蚀硬掩膜层工艺形成第一开口，通过在第一开口中的内侧墙、刻蚀硬掩膜层、沉积第二多晶硅层以及去除硬掩膜层等步骤，形成了具有第一多晶硅层和第二多晶硅层堆叠成的倒置“T”型或哑铃状的新的多晶硅栅极的半导体器件，其用于接触金属以形成自对准硅化物的多晶硅表面积大于第一多晶硅层的上表面面积，进而形成更大面积区域的自对准硅化物，降低栅极电阻；本发明还提供一种半导体器件，其多晶硅栅极呈倒置“T”型或哑铃状，其用于接触金属以形成自对准硅化物的多晶硅表面积大于第一多晶硅层的上表面面积，进而形成更大面积区域的自对准硅化物，降低栅极电阻。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在一半导体衬底上形成由栅氧化层和第一多晶硅层堆叠而成的栅极结构以及覆盖在所述第一多晶硅层顶部的硬掩膜层；在所述半导体衬底上沉积层间介质层，并对所述层间介质层进行平坦化以暴露出所述硬掩膜层顶部；回刻蚀去除一定厚度的硬掩膜层，形成第一开口；在所述第一开口内形成内侧墙，并刻蚀去除所述内侧墙未覆盖的硬掩膜层；在所述第一开口中沉积第二多晶硅层，并平坦化所述第二多晶硅层至所述硬掩膜层顶部；移除所述层间介质层，并在所述硬掩膜层和栅极结构侧面形成外侧墙；去除所述硬掩膜层，形成第二开口；在所述第二开口表面沉积金属层；退火以形成自对准硅化物。