[发明专利]泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体引晶过程控制方法有效
申请号: | 201210289114.3 | 申请日: | 2012-08-15 |
公开(公告)号: | CN102797033A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 张会选;王先进;胡海平;杜刚;程兴发 | 申请(专利权)人: | 四川欣蓝光电科技有限公司 |
主分类号: | C30B17/00 | 分类号: | C30B17/00;C30B29/20 |
代理公司: | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人: | 成实 |
地址: | 620599 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体引晶过程控制方法,解决现有引晶过程复杂,且引出的晶体常常会出现云雾状气泡、开裂、位错、双晶的问题。本发明主要由以下步骤组成:(1)将直径为10~20mm籽晶的下端伸入融化的氧化铝中,籽晶微熔后,晶转10~30min使籽晶的下端生成晶体;(2)向上提拉籽晶2~10mm后,晶转10~30min;(3)重复步骤(2)3~10次;(4)向上提拉籽晶2~10mm后,晶转使晶体直径增加1~10mm;(5)重复步骤(4),当晶体的高度达到20~50mm时停止。本发明能够有效地避免籽晶内部出现云雾状气泡、开裂、位错、双晶的现象,从而大大提高蓝宝石晶体质量;本发明具有操作简单、成功率高、可生长出大尺寸光学级蓝宝石晶体的优点。 | ||
搜索关键词: | 泡生法 生长 尺寸 蓝宝石 晶体 过程 控制 方法 | ||
【主权项】:
泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体引晶过程控制方法,其特征在于,主要由以下步骤组成:(1)将直径为10~20mm籽晶的下端伸入融化的氧化铝中,籽晶微熔后,晶转10~30min使籽晶的下端生成晶体;(2)向上提拉籽晶2~10mm后,晶转10~30min;(3)重复步骤(2)3~10次;(4)向上提拉籽晶2~10mm后,晶转使晶体直径增加1~10mm; (5)重复步骤(4),当晶体的高度达到20~50mm时停止。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川欣蓝光电科技有限公司,未经四川欣蓝光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210289114.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。