[发明专利]泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体引晶过程控制方法有效

专利信息
申请号: 201210289114.3 申请日: 2012-08-15
公开(公告)号: CN102797033A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: 张会选;王先进;胡海平;杜刚;程兴发 申请(专利权)人: 四川欣蓝光电科技有限公司
主分类号: C30B17/00 分类号: C30B17/00;C30B29/20
代理公司: 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 代理人: 成实
地址: 620599 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体引晶过程控制方法,解决现有引晶过程复杂,且引出的晶体常常会出现云雾状气泡、开裂、位错、双晶的问题。本发明主要由以下步骤组成:(1)将直径为10~20mm籽晶的下端伸入融化的氧化铝中,籽晶微熔后,晶转10~30min使籽晶的下端生成晶体;(2)向上提拉籽晶2~10mm后,晶转10~30min;(3)重复步骤(2)3~10次;(4)向上提拉籽晶2~10mm后,晶转使晶体直径增加1~10mm;(5)重复步骤(4),当晶体的高度达到20~50mm时停止。本发明能够有效地避免籽晶内部出现云雾状气泡、开裂、位错、双晶的现象,从而大大提高蓝宝石晶体质量;本发明具有操作简单、成功率高、可生长出大尺寸光学级蓝宝石晶体的优点。
搜索关键词: 泡生法 生长 尺寸 蓝宝石 晶体 过程 控制 方法
【主权项】:
泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体引晶过程控制方法,其特征在于,主要由以下步骤组成:(1)将直径为10~20mm籽晶的下端伸入融化的氧化铝中,籽晶微熔后,晶转10~30min使籽晶的下端生成晶体;(2)向上提拉籽晶2~10mm后,晶转10~30min;(3)重复步骤(2)3~10次;(4)向上提拉籽晶2~10mm后,晶转使晶体直径增加1~10mm; (5)重复步骤(4),当晶体的高度达到20~50mm时停止。
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