[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210287514.0 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103594511B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;张亚楼;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底中的源漏延伸区和源漏区、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构周围的栅极侧墙，其特征在于源漏延伸区位于栅极侧墙下方，并且栅极侧墙与源漏延伸区之间还具有电阻调节层。本发明还提供了该半导体器件制造方法，依照本发明的半导体器件及其制造方法，在轻掺杂的源漏延伸区上形成电阻调节层，通过施加不同的控制电压来增强源漏延伸区的积累或者耗尽，动态地调整其电阻，有效提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括衬底、衬底中的源漏延伸区和源漏区、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构周围的栅极侧墙，其特征在于：源漏延伸区位于栅极侧墙下方，并且栅极侧墙与源漏延伸区之间还具有电阻调节层，接触塞与电阻调节层电连接。
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