[发明专利]相变存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201210287381.7 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103594619A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变存储器及其形成方法，其中相变存储器的形成方法，包括：提供基底，基底表面形成有第一绝缘层，第一绝缘层内形成有开口；形成覆盖开口侧壁的第一导电层；采用离子注入工艺向第一导电层内注入离子，使部分第一导电层形成第二绝缘层，剩余部分的第一导电层形成底部电极层，所述第二绝缘层、底部电极层表面与第一绝缘层表面齐平；待形成底部电极层后，在开口内形成第三绝缘层，第三绝缘层表面与所述第一绝缘层表面齐平；在第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和底部电极层表面形成相变层；形成位于所述相变层表面的顶部电极层。形成的相变存储器的底部电极层与相变层的接触面积小，相变存储器的功耗低。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有第一绝缘层，所述第一绝缘层内形成有开口；形成覆盖所述开口侧壁的第一导电层；采用离子注入工艺向所述第一导电层内注入离子，使部分所述第一导电层形成第二绝缘层，剩余部分的第一导电层形成底部电极层，所述第二绝缘层、底部电极层表面与第一绝缘层表面齐平；待形成底部电极层后，在所述开口内形成第三绝缘层，所述第三绝缘层表面与所述第一绝缘层表面齐平；在所述第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和底部电极层表面形成相变层；形成位于所述相变层表面的顶部电极层。
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