[发明专利]LDMOS功率晶体管阵列结构及其版图实现方法在审
| 申请号： | 201210287279.7 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103633082A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 仲志华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 发明公开了一种LDMOS功率晶体管阵列结构，包括：多个结构相同并联的LDMOS晶体管，相邻的LDMOS晶体管共用源极或漏极连接，其中：所有LDMOS晶体管的源极和衬底引出端通过金属线并联在一起，漏极通过金属线并联在一起，每个LDMOS晶体管的衬底引出端采用X状交叉方式排布，在功率晶体管阵列最外围具有一个单独的漏极形成漏极保护环通过金属线引出，在所述漏极保护环外侧还具有一隔离环，与其它的器件起到隔离的作用。本发明还公开了一种LDMOS功率晶体管阵列结构的版图实现方法。本发明的LDMOS功率晶体管阵列结构在不改变工艺的前提下能提高功率晶体管阵列的可靠性（比如提高功率晶体管阵列的HCI寿命，扩大功率晶体管阵列的安全工作范围等）。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 功率 晶体管 阵列 结构 及其 版图 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS功率晶体管阵列结构，包括：多个结构相同并联的LDMOS晶体管，相邻的LDMOS晶体管共用源极或漏极连接，其特征是：所有LDMOS晶体管的源极和衬底引出端通过金属线并联在一起，漏极通过金属线并联在一起，每个LDMOS晶体管的衬底引出端采用X状交叉排布方式。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
