[发明专利]RFLDMOS隔离介质层深沟槽的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210281659.X | 申请日： | 2012-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103035506A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 吴智勇;肖胜安 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RFLDMOS隔离介质层深沟槽的刻蚀方法，包括步骤：1）刻蚀光刻对准标记区；2）生长氧化硅-氮化硅叠层；3）单晶硅回刻形成浅沟槽；4）淀积氧化硅；5）用氧化硅对氮化硅高选择比的硬掩膜干法刻蚀工艺，在单晶硅浅沟槽中形成深沟槽图形；6）用单晶硅对氧化硅和氮化硅高选择比的干法刻蚀工艺，在厚场氧区形成深沟槽。本发明通过在硅片边缘斜面区和光刻对准标记区形成ONO叠层，同时在深沟槽硬掩膜刻蚀过程中使用氧化膜对氮化膜高选择比的工艺，在深沟槽刻蚀中使用单晶硅对介质膜高选择比的工艺，有效避免了深沟槽干法刻蚀后硅片边缘斜面区和光刻对准标记区出现硅尖刺缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | rfldmos 隔离 介质 深沟 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
RFLDMOS隔离介质层深沟槽的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在硅片的划片槽内刻蚀出零层光刻对准标记区；2）依次生长二氧化硅膜和氮化硅膜；3）单晶硅回刻，在厚场氧区的深沟槽区域上面形成单晶硅浅沟槽；4）淀积二氧化硅硬掩膜；5）用二氧化硅对氮化硅高选择比的硬掩膜干法刻蚀工艺，在单晶硅浅沟槽中形成深沟槽图形；6）用单晶硅对二氧化硅和氮化硅高选择比的干法刻蚀工艺，在厚场氧区形成深沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
