[发明专利]RFLDMOS隔离介质层深沟槽的刻蚀方法

权利要求书

1.RFLDMOS隔离介质层深沟槽的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）在硅片的划片槽内刻蚀出零层光刻对准标记区；

2）依次生长二氧化硅膜和氮化硅膜；

3）单晶硅回刻，在厚场氧区的深沟槽区域上面形成单晶硅浅沟槽；

4）淀积二氧化硅硬掩膜；

5）用二氧化硅对氮化硅高选择比的硬掩膜干法刻蚀工艺，在单晶硅浅沟槽中形成深沟槽图形；

6）用单晶硅对二氧化硅和氮化硅高选择比的干法刻蚀工艺，在厚场氧区形成深沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻对准标记区的深度为

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2），所述二氧化硅膜的厚度为氮化硅膜的厚度为以上。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3），所述单晶硅浅沟槽的深度为

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4），所述二氧化硅膜的厚度为以上。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5），刻蚀条件为：气压30～60毫托，功率300～500瓦，刻蚀气体包括C₄F₆或C₄F₈。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤5），刻蚀气体中含有辅助气体Ar或O₂。

8.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，步骤5），二氧化硅对氮化硅的选择比为25:1以上。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6），刻蚀条件为：气压30～50豪托，上部电极功率900～1500瓦，下部电极功率50～90瓦，刻蚀气体包括SF₆和O₂。

10.根据权利要求1或9所述的方法，其特征在于，步骤6），单晶硅对二氧化硅和氮化硅的刻蚀选择比为20:1～25:1。