[发明专利]包括第一和第二半导体材料的半导体器件有效
| 申请号： | 201210279823.3 | 申请日： | 2012-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN103426909A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 弗朗茨·约瑟夫·尼德尔诺什特海德;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;斯特凡·福斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;李慧 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括具有第一半导体材料的第一半导体区。半导体器件进一步包括与第一半导体区邻接的第二半导体区。第二半导体区包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。半导体器件进一步包括第一半导体区中的漂移或基极区。半导体器件进一步包括第二半导体区中的发射极区。第二半导体区包括至少一种深能级掺杂剂。该至少一种深能级掺杂剂的溶解度在第二半导体区高于第一半导体区。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 第一 第二 半导体材料 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：包括第一半导体材料的第一半导体区；与所述第一半导体区邻接的第二半导体区，其中，所述第二半导体区包括不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料；所述第一半导体区中的漂移或基极区；所述第二半导体区中的发射极区；其中，所述第二半导体区进一步包括至少一种深能级掺杂剂，该深能级掺杂剂的溶解度在所述第二半导体区中高于在所述第一半导体区中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210279823.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于含铝栅极的无边界接触及其形成方法
- 下一篇：有机发光装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
