[发明专利]等离子体处理设备及其静电卡盘有效
| 申请号： | 201210277352.2 | 申请日： | 2012-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN103578899A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 左涛涛;吴狄;周宁;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/20 | 分类号： | H01J37/20;H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张龙哺;冯志云 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种静电卡盘，用于等离子体处理设备的反应腔室中，用于固定待加工件，静电卡盘包括如下部分：第一绝缘层，待加工件被置于第一绝缘层之上；第二绝缘层，位于第一绝缘层下方，第二绝缘层内置有一加热器，用于产生热量通过第一绝缘层加热待加工件；基体，位于第二绝缘层下方，用于支撑第一绝缘层和第二绝缘层；其中，静电卡盘至少还包括一热传导层，设置于第一绝缘层和第二绝缘层之间，由热传导系数不低于铝的材料制成，用于使第二绝缘层产生的热量向第一绝缘层的不同区域均匀地传导。其能使第一绝缘层不同区域的温度均一，并能减少因热膨胀而对静电卡盘产生的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 设备 及其 静电 卡盘 | ||
【主权项】：
一种静电卡盘，用于等离子体处理设备的反应腔室中，用于固定待加工件，所述静电卡盘包括如下部分：第一绝缘层，所述待加工件被置于所述第一绝缘层之上；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层下方，所述第二绝缘层内置有一加热器，用于产生热量通过所述第一绝缘层加热所述待加工件；基体，位于所述第二绝缘层下方，用于支撑所述第一绝缘层和第二绝缘层；其特征在于，所述静电卡盘至少还包括一热传导层，设置于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间，由热传导系数不低于铝的材料或陶瓷制成，所述热传导层用于使所述加热器产生的热量向所述第一绝缘层的不同区域均匀地传导。
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