[发明专利]等离子体处理设备及其静电卡盘

权利要求书

1.一种静电卡盘，用于等离子体处理设备的反应腔室中，用于固定待加工件，所述静电卡盘包括如下部分：

第一绝缘层，所述待加工件被置于所述第一绝缘层之上；

第二绝缘层，位于所述第一绝缘层下方，所述第二绝缘层内置有一加热器，用于产生热量通过所述第一绝缘层加热所述待加工件；

基体，位于所述第二绝缘层下方，用于支撑所述第一绝缘层和第二绝缘层；

其特征在于，所述静电卡盘至少还包括一热传导层，设置于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间，由热传导系数不低于铝的材料或陶瓷制成，所述热传导层用于使所述加热器产生的热量向所述第一绝缘层的不同区域均匀地传导。

2.如权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，其还包括：

第一隔离粘接层，由伸缩性材料制成，设置于所述热传导层和所述第一绝缘层之间，用于适应所述热传导层和所述第一绝缘层之间不同幅度的热膨胀。

3.如权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，其还包括：

第二隔离粘接层，由伸缩性材料制成，设置于所述热传导层和所述第二绝缘层之间，用于适应所述热传导层和所述第二绝缘层之间不同幅度的热膨胀。

4.如权利要求2或3所述的静电卡盘，其特征在于，所述热传导层的制成材料包括铝或铝合金。

5.如权利要求2或3所述的静电卡盘，其特征在于，所述热传导层的厚度为1-2mm。

6.如权利要求3所述的静电卡盘，其特征在于，所述第一、第二隔离粘接层的制成材料还包括硅胶，分别用于粘合所述热传导层和第一绝缘层，以及所述热传导层和第二绝缘层。

7.如权利要求6所述的静电卡盘，其特征在于，所述第一隔离粘接层的厚度小于0.3mm。

8.如权利要求1至3中任一项所述的静电卡盘，其特征在于，所述第一绝缘层的制成材料包括陶瓷。

9.如权利要求1至3中任一项所述的静电卡盘，其特征在于，所述第二绝缘层的制成材料包括氧化铝，所述制成材料包覆所述加热器。

10.如权利要求9所述的静电卡盘，其特征在于，所述加热器为一组电阻丝，由金属钨制成。

11.如权利要求1至3中任一项所述的静电卡盘，其特征在于，所述基体包括至少一个冷却液流道，用于注入冷却液对所述静电卡盘进行冷却。

12.一种等离子体处理设备，用于对放置在其中的待加工件进行等离子体处理工艺，包括：

反应腔室，用于在其中进行所述等离子体处理工艺；

如权利要求1至10中任一项所述静电卡盘，位于所述反应腔室中，用于固定所述待加工件。

13.如权利要求11所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述等离子体处理工艺为等离子体刻蚀工艺，所述待加工件为衬底。