[发明专利]具有软中间膜的气垫面外层及制造该气垫面外层的方法无效
申请号: | 201210273713.6 | 申请日: | 2012-08-02 |
公开(公告)号: | CN102915745A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 儿玉峰章;石崎浩;大川贵子;稻叶宏 | 申请(专利权)人: | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 张焕生;谢丽娜 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 一种具有软中间膜的气垫面外层及制造该气垫面外层的方法。在一个实施例中,一种磁头包括至少一个磁头元件,其用于从磁介质读取和/或向磁介质写入,该元件具有面向磁介质的气垫面(ABS);在ABS上方的包含碳化硅的粘性膜,该粘性膜具有在水蒸汽局部压力下形成的特性;以及在粘性膜上方的保护膜,该保护膜包括碳。而且,在另一实施例中,一种方法包括:形成磁头的ABS,该ABS是在使用时距磁介质最近的磁头的表面;在磁头的ABS上方形成粘性膜,该粘性膜在水蒸汽局部压力下形成;以及在粘性膜上方形成保护膜,该保护膜包括碳。 | ||
搜索关键词: | 具有 中间 气垫 外层 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种磁头,包括:至少一个磁头元件,所述至少一个磁头元件用于从磁介质读取和/或向磁介质写入,其中所述至少一个磁头元件包括气垫面(ABS);在所述ABS上方的粘性膜,所述粘性膜包括氮化硅并具有在水蒸汽局部压力下形成的特性;以及在所述粘性膜上方的保护膜,所述保护膜包括碳。
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