[发明专利]具有软中间膜的气垫面外层及制造该气垫面外层的方法

权利要求书

1.一种磁头，包括：

至少一个磁头元件，所述至少一个磁头元件用于从磁介质读取和/或向磁介质写入，其中所述至少一个磁头元件包括气垫面（ABS）；

在所述ABS上方的粘性膜，所述粘性膜包括氮化硅并具有在水蒸汽局部压力下形成的特性；以及

在所述粘性膜上方的保护膜，所述保护膜包括碳。

2.根据权利要求1所述的磁头，其中所述粘性膜包括SiN_xO_yH_z，其中x、y和z具有使得O浓度在约5%至约13%的范围内而H浓度在约6%至约12%的范围内的关系。

3.根据权利要求1所述的磁头，其中所述保护膜包括类金刚石碳（DLC），其中所述DLC中的氧的浓度在约5%至约8%的范围而所述DLC中的氢的浓度在约6%至约15%的范围。

4.根据权利要求1所述的磁头，其中所述的在水蒸汽局部压力下形成的特性包括所述粘性膜包括浓度大于约5%的氧和浓度大于约5%的氢。

5.根据权利要求1所述的磁头，其中所述粘性膜具有约2.6g/cm³至约2.8g/cm³的密度。

6.根据权利要求1所述的磁头，其中所述粘性膜具有约2.7g/cm³的密度和约19.5GPa的硬度。

7.一种磁数据存储系统，包括：

根据权利要求1所述的至少一个磁头；

磁记录介质；

驱动机构，所述驱动机构用于使所述磁介质在所述至少一个磁头上经过；以及

控制器，所述控制器电耦合到所述至少一个磁头，用于控制所述至少一个磁头的操作。

8.一种方法，包括：

形成磁头的气垫面，所述气垫面是在所述磁头使用时该磁头最靠近磁介质的表面；

在所述磁头的所述气垫面上方形成粘性膜，所述粘性膜在水蒸汽局部压力下形成，其中所述粘性膜包括氮化硅；以及

在所述粘性膜上方形成保护膜，所述保护膜包括碳。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述粘性膜包括SiN_xO_yH_z，其中x、y和z具有使得O浓度大于约5%并且H浓度大于约6%的关系。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述粘性膜包括SiN_xO_yH_z，其中x、y和z具有使得O浓度大于约10%并且H浓度大于约10%的关系。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述粘性膜包括SiN_xO_yH_z，其中x、y和z具有使得O浓度约为13%且H浓度约为12%的关系。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述保护膜包括类金刚石碳（DLC），其中所述DLC中氧的浓度大于约5%而所述DLC中氢的浓度大于约6%。

13.根据权利要求8所述的方法，其中所述保护膜包括类金刚石碳（DLC），其中所述DLC中氧的浓度大于约8%而所述DLC中氢的浓度大于约10%。

14.根据权利要求8所述的方法，其中所述保护膜包括类金刚石碳（DLC），其中所述DLC中氧的浓度约为8%而所述DLC中氢的浓度约为15%。

15.根据权利要求8所述的方法，其中在包括约60%局部压力的氩、约39%局部压力的氮和约1%局部压力的水蒸汽的气体混合物中形成所述粘性膜。

16.根据权利要求15所述的方法，其中使用下述至少之一形成所述粘性膜：反应溅射和离子束辅助溅射。

17.根据权利要求8所述的方法，其中在包括约60%局部压力的氩、约39%局部压力的氮和约1%局部压力的水蒸汽的气体混合物中形成所述保护膜。

18.根据权利要求17所述的方法，其中使用下述至少之一形成所述保护膜：反应溅射、激光烧蚀、阴极真空电弧放电沉积和质量选择离子束沉积。